类型：双肖特基势垒二极管
　　配置：双二极管
　　反向重复电压（VRRM）：100 V
　　平均整流电流（IF(AV)）：10 A
　　峰值浪涌电流（IFSM）：150 A
　　正向压降（VF）典型值：0.84 V @ 10 A, 125°C
　　最大正向压降（VF）：0.92 V @ 10 A, 125°C
　　反向漏电流（IR）最大值：2.0 mA @ 100 V, 125°C
　　工作结温范围（TJ）：-65 °C 至 +125 °C
　　存储温度范围（TSTG）：-65 °C 至 +150 °C
　　封装/外壳：TO-220AB
　　安装类型：通孔（Through Hole）
　　引脚数：3
　　热阻（RθJC）：2.0 °C/W
　　极性：中心抽头等效双阳极共阴极结构

MBR10100CTP的核心优势在于其卓越的电学性能与高效的热管理能力。该器件采用先进的肖特基势垒技术，实现了极低的正向导通压降，在10A大电流条件下仍能保持低于0.92V的最大VF值，显著降低了功率损耗，提升了电源系统的转换效率。相较于传统的PN结二极管，肖特基结构没有少数载流子存储效应，因此具备极快的开关响应速度，几乎无反向恢复时间（trr可忽略），有效减少了开关过程中的能量损耗和电磁干扰（EMI），特别适合高频开关电源应用。
　　其双二极管结构设计允许灵活配置，既可以作为两个独立通道使用于双路输出电源中，也可以将两路并联连接以承载更高的总电流，增强了设计灵活性。TO-220AB封装不仅提供了优良的机械强度，还具备出色的散热性能，热阻RθJC仅为2.0°C/W，配合外部散热片可进一步降低结温，确保在高负载环境下稳定运行。该器件的工作结温范围宽达-65°C至+125°C，适应严苛的工业环境条件。
　　MBR10100CTP具有较高的浪涌电流承受能力（IFSM=150A），可在瞬态过载或启动冲击下提供可靠保护。同时，反向漏电流在高温下控制良好，最大仅2.0mA@100V/125°C，保证了在高温工况下的稳定性。产品通过AEC-Q101可靠性测试（如适用），并符合RoHS及无卤素指令，满足现代环保法规要求。此外，该器件抗湿性好，可靠性高，经过严格的出厂测试，确保每一批次的一致性和长期使用寿命。

MBR10100CTP广泛应用于各类需要高效整流和低功耗特性的电力电子系统中。常见用途包括AC-DC开关电源的次级整流，尤其是在笔记本电脑适配器、LED驱动电源和家用电器电源模块中表现优异。由于其低VF和快速响应特性，它非常适合用于高频DC-DC降压或升压转换器的同步整流替代方案，虽然不能完全取代MOSFET，但在成本敏感型设计中可作为高性能二极管解决方案。该器件也常被用作续流二极管（Freewheeling Diode）在电机驱动和电感负载切换电路中，有效防止反向电动势对主开关器件造成损坏。
　　在通信电源系统中，MBR10100CTP可用于多路输出稳压电源的整流单元，支持双通道独立供电架构。其高电流能力和良好的热性能使其适用于工业控制设备、自动化仪表和嵌入式电源系统。此外，在太阳能充电控制器、UPS不间断电源和电池充电管理系统中，该器件可用于防止电流倒灌和实现能量回馈路径的单向导通控制。由于具备较高的可靠性和环境适应性，它也被用于车载电子辅助电源、铁路信号设备和医疗仪器等对安全性要求较高的领域。总之，任何需要高效率、高电流密度和快速响应的低压直流整流场合，都是MBR10100CTP的理想应用场景。

SR10A100CG
　　MBR10100CT
　　MBR10100
　　STPS10L100CT
　　VS-10BQ100