时间:2025/10/31 16:58:02
阅读:13
MBR10100CTF-E1是一款由安森美(onsemi)生产的双肖特基势垒二极管,广泛应用于电源整流和续流保护电路中。该器件采用中心抽头配置的TO-277A(SMAFL)表面贴装封装,适用于需要高效能、低功耗和紧凑设计的电源系统。MBR10100CTF-E1具有10A的额定正向电流和100V的反向重复峰值电压,能够满足多种低压直流电源应用的需求。其低正向导通压降特性显著降低了功率损耗,提高了整体系统的能效。此外,该器件具备良好的热稳定性和可靠性,可在较宽的温度范围内稳定工作,适合在工业控制、消费电子、通信设备以及开关电源等环境中使用。MBR10100CTF-E1的设计符合RoHS环保标准,并且支持无铅焊接工艺,便于现代自动化生产流程的应用。由于其高电流密度和小型化封装,这款二极管特别适合用于空间受限但对性能要求较高的场合。通过优化PN结结构与金属接触层,该器件有效抑制了反向漏电流并提升了瞬态响应能力,在高频开关条件下仍能保持优异的整流效率。总体而言,MBR10100CTF-E1是一款兼顾高性能、高可靠性和环境友好性的先进功率二极管解决方案。
型号:MBR10100CTF-E1
制造商:onsemi (安森美)
器件类型:双肖特基势垒二极管(中心抽头)
封装形式:TO-277A (SMAFL)
安装方式:表面贴装(SMD)
最大重复反向电压(VRRM):100V
最大平均正向整流电流(IF(AV)):10A
峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(单半波,60Hz)
最大正向电压降(VF):0.84V(典型值,@ IF = 5A, Tj = 25°C)
最大反向漏电流(IR):0.5mA(@ VR = 100V, Tj = 25°C),随温度升高而增加
工作结温范围(TJ):-65°C 至 +125°C
存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +150°C
热阻(Junction-to-Case, RθJC):约 2.5°C/W
引脚数:3
极性配置:共阴极(Center Tap)
符合RoHS指令:是
无铅认证:Yes
MBR10100CTF-E1的核心优势在于其出色的电学性能和热管理能力。作为一款双肖特基势垒二极管,它利用金属-半导体结代替传统的PN结,从而实现非常低的正向导通压降,典型值仅为0.84V @ 5A,这显著减少了导通期间的能量损耗,提升了电源转换效率。相比常规快恢复或超快恢复二极管,该器件几乎没有反向恢复时间(trr ≈ 0),因此在高频开关应用中不会产生额外的开关损耗和电磁干扰(EMI),非常适合用于开关模式电源(SMPS)、DC-DC变换器等高频整流场景。其10A的连续正向电流承载能力和高达150A的非重复浪涌电流耐受能力,使其能够在瞬态负载变化下保持稳定运行。
该器件采用TO-277A(也称SMAFL)封装,具有较小的占位面积和良好的散热性能,适合自动化贴片生产,并可在有限空间内实现高功率密度设计。中心抽头结构使其特别适用于全波整流电路,简化了PCB布局并减少了元件数量。此外,MBR10100CTF-E1具备优异的温度稳定性,在高温环境下反向漏电流增长相对可控,同时结温最高可达125°C,确保在严苛工况下的长期可靠性。制造过程中采用了先进的晶圆工艺和封装技术,增强了抗湿性、机械强度和热循环耐久性。产品通过AEC-Q101等车规级可靠性测试的部分验证,也可用于部分车载电源系统。整体设计充分考虑了能效、尺寸、可靠性和环保要求,是现代高效电源系统中的理想选择之一。
MBR10100CTF-E1因其高电流、低VF和表面贴装特性,被广泛应用于各类中低电压直流电源系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的输出整流环节,特别是在12V至48V的隔离式或非隔离式拓扑中表现优异。它也常用于DC-DC转换器,如降压(Buck)、升压(Boost)及反激式(Flyback)电路中的续流与箝位二极管,帮助提高转换效率并降低温升。在适配器、充电器(如笔记本电脑、路由器、智能家居设备电源)中,该器件可作为主输出整流元件,替代传统快恢复二极管以提升整体能效。
此外,由于其良好的动态响应和低噪声特性,MBR10100CTF-E1适用于通信设备电源模块、工业控制电源、LED驱动电源以及消费类电子产品中的二次侧整流。在光伏逆变器和UPS不间断电源系统中,可用于电池充放电回路的防倒灌保护。其表面贴装封装便于自动化组装,适合大批量生产,因此在追求小型化和高集成度的产品设计中尤为受欢迎。在汽车电子领域,虽然未明确标注为完全车规级,但凭借其可靠的性能和宽温工作能力,仍可用于部分辅助电源或车载充电模块中。总之,该器件适用于所有需要高效、紧凑、可靠整流方案的应用场景。
MBR10100CTFWS
MBR10100CT
S10C100A
SS10100CT