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MBR10100CL 发布时间 时间:2025/12/27 7:19:33 查看 阅读:19

MBR10100CL是一款由ON Semiconductor(安森美)生产的肖特基势垒二极管,采用双共阴极配置,广泛应用于需要高效率、低功耗的电源转换系统中。该器件专为高频开关电源设计,具有较低的正向电压降和快速的反向恢复时间,能够显著提升电源系统的整体效率。MBR10100CL的额定平均正向整流电流为10A,最大重复峰值反向电压为100V,适用于DC-DC转换器、续流二极管、极性保护以及逆变器等多种电路拓扑结构。其封装形式为TO-220AC,具备良好的热传导性能,适合在高功率密度环境中使用。由于采用了先进的肖特基势垒技术,该器件避免了传统PN结二极管的少数载流子存储效应,从而实现了极快的开关速度和更低的能量损耗。此外,MBR10100CL符合RoHS环保标准,支持无铅焊接工艺,在现代绿色电子产品中具有广泛应用前景。

参数

型号:MBR10100CL
  器件类型:肖特基势垒二极管(双共阴极)
  最大重复峰值反向电压(VRRM):100V
  最大直流阻断电压(VR):100V
  平均正向整流电流(IF(AV)):10A
  峰值正向浪涌电流(IFSM):150A(单个半正弦波,8.3ms)
  最大正向电压降(VF):0.875V(典型值,IF=10A,TC=25°C)
  最大反向漏电流(IR):1.0mA(最大值,VR=100V,TC=25°C)
  工作结温范围(TJ):-65°C 至 +175°C
  存储温度范围(TSTG):-65°C 至 +175°C
  封装形式:TO-220AC
  安装方式:通孔安装(Through-Hole)
  引脚数:3

特性

MBR10100CL的核心优势在于其优异的电气性能与高可靠性设计。首先,它采用肖特基势垒结构,使得其正向导通电压远低于传统硅基PN结二极管。在10A的工作电流下,其典型正向压降仅为0.875V,这不仅降低了导通期间的功率损耗,也减少了散热需求,有助于提高系统能效并缩小整体体积。这种低VF特性对于DC-DC降压或升压转换器尤为重要,尤其是在多相供电架构中,多个二极管并联工作时总功耗显著下降。
  其次,该器件具备极短的反向恢复时间(trr),理论上接近于零,因为肖特基二极管是多数载流子器件,不存在少数载流子复合过程。这一特性使其非常适合用于高频开关环境,如开关模式电源(SMPS)、同步整流替代方案以及PWM控制电路中,可有效减少开关噪声和电磁干扰(EMI)。同时,由于没有反向恢复电荷(Qrr),在关断瞬间不会产生反向恢复电流尖峰,从而避免了额外的开关损耗和电压振荡问题。
  再者,MBR10100CL采用双共阴极配置,即两个独立的肖特基二极管共享一个公共阴极引脚,常用于全波整流或双路输出整流场景,简化了PCB布局并提高了集成度。其TO-220AC封装具有优良的热传导能力,可通过外接散热片将热量迅速导出,确保器件在高负载条件下长期稳定运行。该封装还具备较高的机械强度和耐压绝缘性能,适用于工业级严苛环境。
  最后,该产品通过AEC-Q101汽车级认证,表明其在温度循环、湿度、振动等可靠性测试中表现优异,可用于车载电源系统。同时支持无铅回流焊工艺,符合现代环保法规要求,适用于消费电子、通信设备、服务器电源及新能源控制系统等领域。

应用

MBR10100CL主要应用于各类需要高效整流与低损耗特性的电源系统中。常见用途包括开关模式电源(SMPS)中的次级侧整流,特别是在高频率工作的反激式、正激式和LLC谐振转换器中,作为输出整流二极管使用,以降低传导损耗并提升效率。由于其低正向压降和快速响应特性,也被广泛用于DC-DC转换器模块,尤其是非隔离型降压(Buck)和升压(Boost)电路中作为续流二极管,防止电感电流突变造成的电压反冲。
  在电池充电管理系统中,MBR10100CL可用作防反接保护元件,防止电池反向接入导致主电路损坏;同时也可作为OR-ing二极管,实现多电源路径之间的自动切换与隔离。在太阳能逆变器和UPS不间断电源系统中,该器件可用于输入/输出端的极性保护和能量回馈通路,保障系统安全运行。
  此外,该器件适用于电机驱动电路中的箝位二极管,吸收感性负载断开时产生的反电动势,保护MOSFET或IGBT等开关器件免受过压冲击。在汽车电子领域,如车载充电机(OBC)、DC-DC变换器和辅助电源单元中,得益于其宽温工作范围和高可靠性,MBR10100CL已成为主流选择之一。其工业级性能也使其适用于工业自动化设备、LED照明驱动电源、电信整流模块以及便携式大功率电子设备的电源管理单元。

替代型号

[
   "SR10100",
   "MBR10100",
   "STPS10H100CT",
   "VS-10SQ100"
  ]

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