MBN800GR17 时间：2025/9/7 16:54:26 阅读：35

MBN800GR17 是一款由 ROHM（罗姆）公司制造的 N 沟道 MOSFET（金属氧化物半导体场效应晶体管），适用于高效率电源管理和功率开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力，适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场景。MBN800GR17 采用 HUML-8 封装，具备良好的散热性能，适合高功率密度设计。

参数

类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（Vds）：80V
　　栅源电压（Vgs）：±20V
　　连续漏极电流（Id）：200A（Tc=25℃）
　　导通电阻（Rds(on)）：1.7mΩ（最大值，Vgs=10V）
　　工作温度范围：-55℃ ~ 150℃
　　封装：HUML-8

特性

MBN800GR17 的主要特性之一是其极低的导通电阻（Rds(on)），这有助于降低导通损耗，提高整体系统的能效。该器件在 Vgs=10V 时，Rds(on) 的最大值仅为 1.7mΩ，这对于大电流应用来说非常关键。
　　此外，MBN800GR17 具有较高的耐压能力，漏源电压（Vds）可达 80V，适用于多种中高功率电源转换应用。其栅源电压范围为 ±20V，允许在较宽的控制电压范围内稳定工作。
　　该 MOSFET 的连续漏极电流在 25℃ 下可达到 200A，具备出色的电流承载能力。这种高电流能力使得它非常适合用于需要高功率输出的设计，如电动工具、电动车驱动、工业电源等。
　　MBN800GR17 采用 HUML-8 封装，具有良好的热管理性能，有助于在高功率密度应用中维持较低的工作温度。同时，该封装也提供了较好的机械强度和焊接可靠性，适用于自动贴片和回流焊工艺。
　　MBN800GR17 还具有较高的可靠性，在高温和高湿环境下仍能保持稳定的工作性能。该器件符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。

应用

MBN800GR17 广泛应用于多种高功率电子设备中，尤其适用于需要高效率和大电流能力的电源管理系统。在 DC-DC 转换器中，MBN800GR17 可作为主功率开关，实现高效的电压转换，适用于服务器电源、通信设备电源和工业自动化设备电源等场景。
　　在电池管理系统中，MBN800GR17 可用作电池充放电控制开关，其低导通电阻特性有助于减少能量损耗，提高电池利用率。它也适用于电动工具、无人机、电动滑板车等电动设备的驱动系统中，作为电机驱动的功率开关。
　　此外，MBN800GR17 还可用于负载开关电路，实现对高功率负载的快速通断控制，适用于智能电表、储能系统和工业控制系统等应用。
　　由于其良好的热管理和高可靠性，MBN800GR17 也适合用于高温环境下工作的设备，如车载电子系统、户外通信基站等。