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MBN800GR17 发布时间 时间:2025/9/7 16:54:26 查看 阅读:30

MBN800GR17 是一款由 ROHM(罗姆)公司制造的 N 沟道 MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管),适用于高效率电源管理和功率开关应用。这款 MOSFET 具有低导通电阻、高耐压和大电流承载能力,适合用于 DC-DC 转换器、负载开关、电池管理系统等场景。MBN800GR17 采用 HUML-8 封装,具备良好的散热性能,适合高功率密度设计。

参数

类型:N 沟道 MOSFET
  漏源电压(Vds):80V
  栅源电压(Vgs):±20V
  连续漏极电流(Id):200A(Tc=25℃)
  导通电阻(Rds(on)):1.7mΩ(最大值,Vgs=10V)
  工作温度范围:-55℃ ~ 150℃
  封装:HUML-8

特性

MBN800GR17 的主要特性之一是其极低的导通电阻(Rds(on)),这有助于降低导通损耗,提高整体系统的能效。该器件在 Vgs=10V 时,Rds(on) 的最大值仅为 1.7mΩ,这对于大电流应用来说非常关键。
  此外,MBN800GR17 具有较高的耐压能力,漏源电压(Vds)可达 80V,适用于多种中高功率电源转换应用。其栅源电压范围为 ±20V,允许在较宽的控制电压范围内稳定工作。
  该 MOSFET 的连续漏极电流在 25℃ 下可达到 200A,具备出色的电流承载能力。这种高电流能力使得它非常适合用于需要高功率输出的设计,如电动工具、电动车驱动、工业电源等。
  MBN800GR17 采用 HUML-8 封装,具有良好的热管理性能,有助于在高功率密度应用中维持较低的工作温度。同时,该封装也提供了较好的机械强度和焊接可靠性,适用于自动贴片和回流焊工艺。
  MBN800GR17 还具有较高的可靠性,在高温和高湿环境下仍能保持稳定的工作性能。该器件符合 RoHS 标准,适用于环保型电子产品设计。

应用

MBN800GR17 广泛应用于多种高功率电子设备中,尤其适用于需要高效率和大电流能力的电源管理系统。在 DC-DC 转换器中,MBN800GR17 可作为主功率开关,实现高效的电压转换,适用于服务器电源、通信设备电源和工业自动化设备电源等场景。
  在电池管理系统中,MBN800GR17 可用作电池充放电控制开关,其低导通电阻特性有助于减少能量损耗,提高电池利用率。它也适用于电动工具、无人机、电动滑板车等电动设备的驱动系统中,作为电机驱动的功率开关。
  此外,MBN800GR17 还可用于负载开关电路,实现对高功率负载的快速通断控制,适用于智能电表、储能系统和工业控制系统等应用。
  由于其良好的热管理和高可靠性,MBN800GR17 也适合用于高温环境下工作的设备,如车载电子系统、户外通信基站等。

替代型号

SiR862DP-T1-GE3, IPPB200N15N3 G, SQJQ120EP

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