时间：2025/9/7 7:08:11
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MBN800E33D-P 是一款由Mitsubishi Electric（三菱电机）制造的IGBT（绝缘栅双极晶体管）模块，广泛应用于高功率电子设备中，如变频器、工业电机驱动、电力转换系统等。该模块集成了多个IGBT芯片和反向并联的二极管，具备较高的电流承载能力和良好的热稳定性。
类型：IGBT模块
最大集电极-发射极电压（VCES）：1200V
额定集电极电流（IC）：800A
工作温度范围：-40°C 至 +150°C
封装形式：双列直插式（DIP）
短路耐受能力：有
栅极驱动电压：+15V/-15V
绝缘等级：符合UL标准
MBN800E33D-P 模块采用了先进的IGBT芯片技术，具有低导通压降和低开关损耗的特点，有助于提高系统的整体效率。
该模块具备较高的短路耐受能力，能够在异常工况下提供良好的保护性能，增强系统的可靠性。
其封装结构设计优化，具备良好的散热性能和机械强度，适用于高温和高振动的工作环境。
模块内部集成了反向并联二极管（FWD），适用于需要高频开关和高能效的逆变器应用。
此外，MBN800E33D-P 还具备良好的绝缘性能和电磁兼容性（EMC），能够满足工业级和高安全性应用的需求。
MBN800E33D-P 主要应用于大功率变频器、工业电机驱动系统、不间断电源（UPS）、太阳能逆变器、电动汽车充电设备以及轨道交通等高功率电子变换装置中。
由于其高电流承载能力和优良的热管理性能，非常适合用于需要高效率、高可靠性和高功率密度的工业和能源系统中。
此外，该模块也可用于焊接设备、感应加热系统和电力储能系统等需要高功率开关器件的场合。
MBN900E33D-P, MBN750E33D-P, CM600HA-33H
