时间：2025/9/7 14:57:56
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MBN600HS6PAW 是一款由 ROHM（罗姆）公司生产的 N 沟道增强型功率 MOSFET，适用于高效率功率转换应用。该器件采用 H6PAK 封装，具备低导通电阻、高功率密度和良好的热管理特性，适合用于电源管理、DC-DC 转换器、电机驱动等高频高功率应用场合。
类型：N 沟道 MOSFET
漏源电压（Vds）：600V
栅源电压（Vgs）：±30V
连续漏极电流（Id）：12A
导通电阻（Rds(on)）：典型值 0.36Ω（最大值 0.45Ω）
功率耗散（Ptot）：80W
工作温度范围：-55°C 至 150°C
封装形式：H6PAK
MBN600HS6PAW 具备优异的导通性能和开关特性，其低导通电阻（Rds(on)）可显著降低导通损耗，提高系统效率。该 MOSFET 采用了 ROHM 独特的沟槽栅结构技术，有助于提升器件的开关速度并减少开关损耗。
此外，H6PAK 封装具备优良的散热性能，有助于在高功率密度应用中维持较低的结温，从而提高器件的可靠性与使用寿命。该封装设计还支持表面贴装工艺，便于自动化生产和提高 PCB 空间利用率。
MBN600HS6PAW 还具有高雪崩耐量和良好的短路耐受能力，能够在恶劣工况下保持稳定运行，适用于工业级电源设备和汽车电子系统。
MBN600HS6PAW 主要应用于各类高效能功率转换设备，包括但不限于：高效率开关电源（SMPS）、DC-DC 转换器、光伏逆变器、电机控制驱动电路、LED 照明电源、电池充电管理系统以及汽车电子中的功率控制模块。
在这些应用中，该 MOSFET 可以作为主开关元件使用，也可用于同步整流、负载开关等场合。其高耐压能力和良好的热性能使其特别适合在中高功率应用中实现紧凑型设计和高效能表现。
TK8A60W, 2SK3564, FQA12N60C, STF12N60DM2
