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MBN180E17 发布时间 时间:2025/9/7 1:35:44 查看 阅读:3

MBN180E17 是一款由东芝(Toshiba)推出的MOSFET(金属氧化物半导体场效应晶体管)模块,专为高功率应用设计。该模块集成了多个MOSFET芯片,采用先进的封装技术,提供高电流能力和优异的热性能。MBN180E17通常用于电力电子设备,如变频器、电机驱动器和电源系统,适用于需要高效能和高可靠性的应用场景。

参数

类型:MOSFET模块
  最大漏极电流:180A
  最大漏-源电压:100V
  导通电阻(Rds(on)):17mΩ
  封装形式:双列直插式(DIP)
  工作温度范围:-55°C至150°C
  功耗:300W
  栅极电压:20V

特性

MBN180E17具有多项显著特性,使其在高功率应用中表现出色。
  首先,该模块的导通电阻仅为17mΩ,这意味着在高电流下仍能保持较低的导通损耗,从而提高整体效率。低导通电阻也减少了发热,有助于延长模块的使用寿命。
  其次,MBN180E17的最大漏极电流为180A,能够在高负载条件下稳定工作。这种高电流能力使其非常适合用于电机驱动和变频器等需要大功率输出的应用场景。
  此外,模块的漏-源电压额定值为100V,使其能够在较宽的电压范围内可靠运行。栅极电压为20V,确保了模块的快速开关特性,从而减少了开关损耗并提高了系统的响应速度。
  MBN180E17采用了双列直插式(DIP)封装形式,具有良好的热管理能力。该封装设计不仅提高了模块的散热效率,还简化了安装过程,降低了系统设计的复杂性。
  模块的工作温度范围为-55°C至150°C,使其能够在各种环境条件下稳定运行。无论是高温还是低温环境,MBN180E17都能保持出色的性能。
  最后,MBN180E17的功耗为300W,表明其能够处理高功率负载而不至于过热。这种高功率处理能力使其成为工业设备和电源系统中的理想选择。

应用

MBN180E17广泛应用于需要高功率和高效率的电子设备中。例如,在电机驱动器中,该模块能够提供稳定的高电流输出,确保电机的高效运行。在变频器中,MBN180E17的快速开关特性和低导通损耗使其成为理想的功率开关元件,能够有效减少能量损耗并提高系统的响应速度。此外,该模块还常用于电源系统,如不间断电源(UPS)和开关电源(SMPS),在这些应用中,MBN180E17的高可靠性和优异的热性能确保了系统的稳定性和长期运行的可靠性。工业自动化设备、电动汽车充电器以及太阳能逆变器等领域也常采用MBN180E17,以满足高功率需求并提高整体能效。

替代型号

TK65H100D, IRFP4468PBF

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