时间：2025/9/7 10:14:14
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MBN1200NS12AW 是一款由三菱电机（Mitsubishi Electric）推出的高集成度SiC（碳化硅）功率模块，主要用于高性能电力电子转换系统，如电动汽车（EV）充电器、工业电源、可再生能源系统和电机驱动器等。该模块采用先进的SiC技术，提供高效能、高可靠性及紧凑的封装设计，适合高频、高温和高效率的应用场景。
类型：SiC功率模块
额定电压：1200V
额定电流：1200A
拓扑结构：双管（Dual）
封装类型：NS12AW
工作温度范围：-40°C至+175°C
导通压降：典型值为1.5V（@25°C）
热阻（Rth）：0.13K/W
绝缘等级：符合IEC 60172标准
MBN1200NS12AW 拥有卓越的电气和热性能。采用SiC MOSFET技术，使得模块在高频工作条件下仍能保持低开关损耗和导通损耗，从而提高整体系统的效率。其双管拓扑结构适用于半桥、全桥或T型三电平拓扑，具有高度的灵活性。模块的封装设计优化了热管理性能，确保在高功率密度下的稳定运行。此外，该模块具备高短路耐受能力和良好的抗电磁干扰（EMI）特性，适用于严苛的工业环境。
在可靠性方面，MBN1200NS12AW采用了高级封装材料和优化的内部布局设计，提高了抗热疲劳和机械疲劳的能力，确保在长期运行中保持稳定的电气性能。同时，该模块通过了严格的测试和认证，符合国际标准，广泛适用于高要求的应用场景。
该模块主要应用于需要高效率和高功率密度的场合，例如电动汽车充电系统（如车载充电机OBC和DC-DC转换器）、光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统（ESS）、工业伺服驱动器和高功率UPS系统。其优异的性能使其成为替代传统Si IGBT模块的理想选择，特别是在需要高频工作和高温稳定性的应用中。
CMF120012P（Cree/Wolfspeed）、STH300N65M5AGP（STMicroelectronics）、SKiiP 41AC12T4V1（Semikron）、BSC09DN020S（Infineon）
