MBN1200NS12AW 是一款由三菱电机(Mitsubishi Electric)推出的高集成度SiC(碳化硅)功率模块,主要用于高性能电力电子转换系统,如电动汽车(EV)充电器、工业电源、可再生能源系统和电机驱动器等。该模块采用先进的SiC技术,提供高效能、高可靠性及紧凑的封装设计,适合高频、高温和高效率的应用场景。
类型:SiC功率模块
额定电压:1200V
额定电流:1200A
拓扑结构:双管(Dual)
封装类型:NS12AW
工作温度范围:-40°C至+175°C
导通压降:典型值为1.5V(@25°C)
热阻(Rth):0.13K/W
绝缘等级:符合IEC 60172标准
MBN1200NS12AW 拥有卓越的电气和热性能。采用SiC MOSFET技术,使得模块在高频工作条件下仍能保持低开关损耗和导通损耗,从而提高整体系统的效率。其双管拓扑结构适用于半桥、全桥或T型三电平拓扑,具有高度的灵活性。模块的封装设计优化了热管理性能,确保在高功率密度下的稳定运行。此外,该模块具备高短路耐受能力和良好的抗电磁干扰(EMI)特性,适用于严苛的工业环境。
在可靠性方面,MBN1200NS12AW采用了高级封装材料和优化的内部布局设计,提高了抗热疲劳和机械疲劳的能力,确保在长期运行中保持稳定的电气性能。同时,该模块通过了严格的测试和认证,符合国际标准,广泛适用于高要求的应用场景。
该模块主要应用于需要高效率和高功率密度的场合,例如电动汽车充电系统(如车载充电机OBC和DC-DC转换器)、光伏逆变器、风力发电变流器、储能系统(ESS)、工业伺服驱动器和高功率UPS系统。其优异的性能使其成为替代传统Si IGBT模块的理想选择,特别是在需要高频工作和高温稳定性的应用中。
CMF120012P(Cree/Wolfspeed)、STH300N65M5AGP(STMicroelectronics)、SKiiP 41AC12T4V1(Semikron)、BSC09DN020S(Infineon)