类型：N 沟道 MOSFET
　　漏源电压（VDS）：1200V
　　连续漏极电流（ID）：80A（在 Tc=25°C 时）
　　漏极功耗（PD）：300W
　　导通电阻（RDS(on)）：max 170mΩ（在 VGS=15V 时）
　　栅极电荷（Qg）：340nC
　　封装形式：TO-3PFM
　　工作温度范围：-55°C ~ +150°C

MBN1200GR17E 采用 ROHM 的先进沟槽栅极技术，具有较低的导通电阻（RDS(on)），从而减少了导通状态下的功率损耗，提高了系统效率。其高耐压能力（1200V）使其适用于高压功率转换应用，如工业电源、电动汽车充电系统和可再生能源逆变器。此外，该 MOSFET 具有良好的热稳定性和高可靠性，能够在高温环境下稳定运行。
　　这款 MOSFET 的封装形式为 TO-3PFM，具有良好的散热性能，能够承受较大的电流负载。其高电流容量和低 RDS(on) 特性有助于减少功率损耗，提高系统整体效率。同时，该器件的栅极驱动设计简单，易于与其他控制电路集成。
　　MBN1200GR17E 还具备较强的短路耐受能力，可以在短时间内承受较大的电流冲击而不会损坏，适用于高要求的工业和汽车应用。此外，其封装符合 RoHS 标准，适用于环保型电子产品设计。

MBN1200GR17E 主要应用于以下领域：
　　- DC-DC 转换器：适用于高效率的电源转换系统，如通信电源、服务器电源和工业电源。
　　- 逆变器和电机驱动：适用于高压电机控制、电动汽车电机驱动系统等。
　　- 电池管理系统：用于电池充放电管理、电池保护电路中。
　　- 工业自动化设备：用于高功率开关控制和负载管理。
　　- 太阳能逆变器：适用于光伏系统中的功率转换和能量管理。
　　- 电源开关和负载开关：用于电源管理系统中的高效开关控制。

MBN1200GR17E 可以替代的型号包括：MBN1200GR、MBN1200GFR17E、MBN1200GFR17-E2。