MBM29LV800BA-12PFTN-SFE是一款由富士通(Fujitsu)生产的闪存(Flash Memory)芯片,属于其MBM29LV系列的高性能、低功耗闪存产品。该芯片采用CMOS技术制造,支持快速读取和低功耗操作,适用于各种嵌入式系统和工业应用。
容量:8 Mbit(1M x 8 / 512K x 16)
封装:48引脚 TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C 至 +85°C)
供电电压:2.7V 至 3.6V
访问时间:12ns
封装类型:PFTN(TSOP)
工艺:CMOS
接口:与JEDEC标准兼容
擦写周期:支持10万次擦写周期
数据保持时间:至少10年
MBM29LV800BA-12PFTN-SFE具有多项优异的性能特点。其低功耗设计使其在待机模式下电流消耗极低,适用于电池供电设备和便携式电子产品。该芯片支持多种封装形式,便于在不同应用场景中使用。其存储结构支持块擦除和扇区擦除功能,允许用户灵活地进行数据管理。芯片内置的自动擦除和写入算法,简化了软件控制,提高了系统的稳定性。此外,MBM29LV800BA-12PFTN-SFE还具备较强的抗干扰能力,适用于工业环境中的高可靠性应用。
该芯片支持两种数据宽度模式:8位和16位,用户可根据系统需求选择合适的模式以提高数据吞吐量。其高速访问时间为12ns,能够满足高速控制系统的需求。此外,芯片内部集成了错误检测和纠正机制,确保数据的完整性和可靠性。MBM29LV800BA-12PFTN-SFE符合RoHS环保标准,适用于对环保要求较高的电子产品设计。
该芯片广泛应用于嵌入式系统、工业控制设备、通信模块、消费类电子产品、医疗设备、汽车电子系统等领域。其高可靠性和低功耗特性使其成为智能电表、远程监控设备、手持终端等设备的理想选择。
S29GL064S10TFR01, AM29LV800BB, M29W800EB