容量：4 Mbit (512 K × 8 / 256 K × 16)
　　供电电压：3.0V ~ 3.6V
　　访问时间：90 ns
　　接口类型：并行异步接口
　　数据宽度：8/16 位可选
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：TSOP48
　　擦除耐久性：100,000 次循环
　　数据保持时间：超过 20 年
　　编程时间：典型值 4 μs/字
　　待机电流：典型值 20 μA
　　主动读取电流：典型值 25 mA

MBM29F400TA-90 采用富士通独有的 MirrorBit 架构，这种创新技术通过在每个物理存储单元中存储两位信息（多层浮栅技术），显著提升了存储密度并降低了制造成本。该结构不仅提高了单位面积内的存储容量，还增强了器件的可靠性和抗干扰能力。由于所有操作均在单一电源电压下完成，无需片外升压电路，因此特别适用于电池供电或对功耗敏感的应用场景。芯片支持完整的命令集，包括自动选择、ID 识别、块擦除、字编程和芯片擦除等，用户可通过标准的写入序列触发相应操作，极大地方便了固件开发与系统调试。
　　该器件具备强大的软件保护机制，可通过执行特定的锁定命令来防止意外写入或擦除关键代码区域，例如引导程序区。同时，它也提供硬件级保护功能，如 Vpp 引脚的高电平检测用于启用/禁用编程操作，进一步增强数据安全性。其双扇区架构设计允许在一个扇区执行擦除操作时，另一个扇区仍可正常读取，实现真正的后台操作能力，这对于需要持续运行且频繁更新固件的系统尤为重要，比如路由器、工业PLC 和智能仪表等设备。
　　MBM29F400TA-90 还集成了内部状态机，能够自动管理编程和擦除过程中的电压脉冲宽度与验证步骤，确保操作的成功率和一致性。用户可以通过读取状态寄存器来监控操作进度，实现轮询或中断驱动的流程控制。该芯片符合工业级温度规范（-40°C 至 +85°C），可在恶劣环境下稳定工作，具备较强的环境适应性。此外，其引脚排列和电气特性兼容 JEDEC 标准，便于与其他厂商的同类产品进行替换或升级，降低了系统设计复杂度。整体而言，MBM29F400TA-90 是一款成熟可靠、性能优异的并行 Flash 解决方案，广泛服务于中低端嵌入式市场多年。

MBM29F400TA-90 主要应用于需要中等容量非易失性存储的嵌入式系统中。常见用途包括作为微控制器系统的外部程序存储器，用于存放启动代码（Bootloader）、固件映像或操作系统镜像。在网络通信设备中，如宽带路由器、交换机和调制解调器，该芯片被用来存储配置文件和运行固件，支持现场升级（Firmware Over-the-Air 或本地更新）。在工业控制系统中，如可编程逻辑控制器（PLC）、人机界面（HMI）和远程终端单元（RTU），它承担着关键程序和参数的持久化存储任务，保障系统断电后仍能恢复运行。
　　消费类电子产品也是其重要应用领域之一，例如数字机顶盒、多媒体播放器、家用电器控制板等，这些设备通常要求低成本、高可靠性且具备一定升级能力的存储方案。MBM29F400TA-90 凭借其成熟的工艺和稳定的供货历史，在这类产品中曾广泛应用。此外，在汽车电子子系统中，如车载信息娱乐系统（IVI）、车身控制模块（BCM）和仪表盘显示单元中，该芯片可用于存储静态数据、校准参数或诊断信息，满足车规级环境下的长期稳定性需求。
　　由于其支持字节/字模式切换，该器件也能很好地适配不同总线宽度的处理器平台，无论是 8 位 MCU 还是 16 位 DSP 均可方便接入。其快速访问时间（90ns）保证了较高的指令执行效率，减少了 CPU 等待时间，提升了整体系统响应速度。虽然随着串行 SPI NOR Flash 的普及，此类并行 Flash 在新设计中逐渐减少，但在许多遗留系统维护、工业备件替换和特定高性能需求场合，MBM29F400TA-90 依然具有不可替代的价值。

S29GL032N90TFIR4
　　MBM29DL400T-90
　　SST39VF400A-90-4C-PHE