时间：2025/8/9 3:07:44
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MBM29DL324TE-90TN是一款由富士通（Fujitsu）制造的并行NOR闪存芯片，属于高性能、低功耗的闪存器件。该芯片适用于需要快速读取和可靠数据存储的应用场景。其容量为32MB，采用并行接口设计，支持快速的读取操作，常用于工业控制、通信设备和嵌入式系统。
容量：32MB
接口类型：并行（x8/x16）
工作电压：2.7V - 3.6V
读取访问时间：90ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
擦除和编程电压：内部电荷泵生成
MBM29DL324TE-90TN具备高性能和低功耗的特点，能够在广泛的温度范围内稳定工作，适用于严苛的工业环境。其90ns的读取访问时间确保了快速的数据访问，而2.7V至3.6V的宽电压范围则增强了其在不同系统中的兼容性。此外，该芯片支持x8和x16的总线宽度配置，提高了其在多种应用中的灵活性。
该芯片内置的电荷泵允许在单电压电源下进行擦除和编程操作，简化了电源设计。其TSOP封装减小了PCB占用空间，同时支持高密度的电路板布局。MBM29DL324TE-90TN还支持扇区擦除和块擦除功能，提供更灵活的存储管理方案。
这款芯片广泛应用于工业自动化设备、通信基础设施、嵌入式系统以及需要可靠非易失性存储的场合。例如，在PLC（可编程逻辑控制器）中用于存储程序和数据，在通信模块中用于保存固件代码，以及在测试设备中用于存储校准数据等。其快速读取能力和宽温范围使其成为工业环境中的理想选择。
MBM29DL324TB-90TN, MBM29DL324TE-70TN
