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MBM29DL162TE-70PFTN 发布时间 时间:2025/8/9 15:37:28 查看 阅读:20

MBM29DL162TE-70PFTN 是富士通(Fujitsu)生产的一款闪存芯片,属于F-RAM(非易失性铁电存储器)的一种。该芯片采用16位数据总线宽度,提供高速读写能力,并且支持低功耗操作。MBM29DL162TE-70PFTN 是一款非常适合用于需要频繁写入和高可靠性的应用场景的存储器芯片。

参数

类型:F-RAM存储器
  容量:16 Mbit
  组织结构:1M x 16
  工作电压:2.7V - 3.6V
  访问时间:70ns
  封装类型:TSOP
  引脚数:56
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  数据保持时间:10年(无需电池)

特性

MBM29DL162TE-70PFTN 的核心优势在于其非易失性和高速读写能力。该芯片的读写操作几乎与SRAM相同,但不需要电池备份,且数据可保持至少10年。此外,该芯片的擦写次数可达到10^14次,远超传统EEPROM和NOR Flash的10^6次寿命,使其适用于需要频繁数据存储和高可靠性的系统。
  这款芯片的另一个显著特点是其抗辐射性能,使其适用于航空航天和高可靠性工业环境。同时,其工作温度范围为-40°C至+85°C,能够在恶劣的环境条件下稳定运行。此外,MBM29DL162TE-70PFTN 的封装形式为TSOP,具有较小的体积,适用于空间受限的设计场景。

应用

该芯片广泛应用于需要高可靠性和频繁写入的系统,如工业控制设备、智能电表、医疗监测设备、通信设备、航空航天系统、数据记录仪以及嵌入式控制系统。由于其卓越的抗辐射性能和宽温度范围,它也适用于极端环境下的电子设备。

替代型号

FM28V100-SGTR、MB85RS2MT-BAFP-G-J 和 Cypress Semiconductor的FM28V100

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