MBM28C64-25 时间：2025/12/28 9:41:43 阅读：9

MBM28C64-25是由富士通（Fujitsu）生产的一款高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高速SRAM系列，广泛应用于需要快速数据存取和稳定性能的电子系统中。MBM28C64-25采用标准的64Kbit（8K x 8）组织结构，即拥有8192个地址单元，每个单元存储8位数据，总容量为64千位。该芯片设计用于工业控制、通信设备、网络设备、嵌入式系统以及各种需要非易失性或高速缓存支持的应用场景。尽管名为'28C'系列，但MBM28C64实际为SRAM而非EEPROM，这在型号命名上可能引起误解，需根据具体数据手册确认其存储类型。该芯片采用双列直插DIP-28封装或SOIC-28表面贴装封装，便于在多种PCB布局中使用。工作电压通常为5V±10%，具备良好的电气兼容性，适用于广泛的数字系统接口标准。其访问时间典型值为25ns，表明其具有较高的读写速度，适合对响应时间要求较高的实时系统应用。

参数

型号：MBM28C64-25
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：Static RAM (SRAM)
　　存储容量：64 Kbit (8K x 8)
　　封装类型：DIP-28, SOIC-28
　　电源电压：4.5V ~ 5.5V
　　访问时间：25ns (最大)
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　待机电流：≤ 100μA（典型值）
　　运行电流：≤ 35mA（典型值）
　　输入逻辑电平：TTL 兼容
　　输出驱动能力：可驱动标准TTL负载
　　封装引脚数：28
　　只读模式支持：是
　　片选信号：CE, OE, WE 控制
　　数据保持电压：≥ 2V

特性

MBM28C64-25具备多项优异的技术特性，使其在同类SRAM产品中表现出色。首先，其25ns的快速访问时间确保了在高频率操作下的高效数据吞吐能力，适用于需要快速响应的数据缓冲、高速缓存或实时数据处理系统。该芯片采用CMOS工艺制造，显著降低了功耗，尤其在待机模式下电流消耗极低，有助于延长便携式设备或电池供电系统的使用寿命。此外，其全静态设计意味着无需刷新操作即可保持数据完整性，简化了系统设计并提高了可靠性。
　　该器件具备三个控制引脚：片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），允许精确控制读写操作，防止误写入或数据冲突。所有输入端均具有抗静电保护电路，增强了器件在实际应用中的鲁棒性。输出端支持三态控制，允许多个存储器或其他外设共享同一数据总线，提升了系统集成度。
　　MBM28C64-25的工作电压范围为4.5V至5.5V，符合标准5V TTL/CMOS电平规范，能够无缝接入传统微处理器、微控制器及数字逻辑系统。其商业级工作温度范围（0°C 至 +70°C）适用于大多数室内环境下的工业与消费类电子产品。封装形式包括DIP-28和SOIC-28，既支持通孔焊接也支持表面贴装工艺，适应不同生产需求。
　　值得注意的是，尽管部分资料可能将该型号归类为EEPROM，但根据其命名规则与功能描述，MBM28C64实为SRAM器件，不具备非易失性存储特性，断电后数据会丢失。因此，在关键数据存储应用中需配合备用电源或非易失性存储器使用。整体而言，MBM28C64-25是一款成熟可靠、性能稳定的通用型高速SRAM，适用于多种中高端电子系统设计。

应用

MBM28C64-25广泛应用于各类需要高速、低延迟数据存储的电子系统中。常见用途包括作为微控制器或DSP系统的外部数据缓存，用于临时存储运算中间结果或频繁访问的数据变量，从而提升整体系统性能。在通信设备中，如路由器、交换机和调制解调器，该芯片可用于帧缓冲或协议处理中的数据暂存，保障数据传输的流畅性和实时性。工业控制系统，例如PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和自动化仪表，也常采用此类SRAM来保存运行状态、配置参数或历史记录。
　　在测试与测量仪器领域，如示波器、频谱分析仪和数据采集系统，MBM28C64-25可用于高速采样数据的临时存储，支持快速读取和后续处理。消费类电子产品，如高端打印机、复印机和多媒体播放器，也可能使用该芯片进行图像缓冲或音频流处理。
　　此外，由于其TTL兼容性和通用接口设计，该器件非常适合用于教学实验平台、嵌入式开发板和原型验证系统中，帮助工程师和学生理解存储器接口时序与总线操作机制。在某些老式计算机或工控机主板上，也可发现类似型号的SRAM用于BIOS缓存或CMOS RAM扩展。
　　总之，凡是在5V系统中需要64Kbit容量、快速访问且成本适中的静态RAM应用场景，MBM28C64-25都是一个值得考虑的选择。随着技术发展，虽然更高密度、更低功耗的替代方案不断涌现，但在维护现有设备或特定设计需求下，该芯片仍具有一定的市场价值和应用前景。