MBM27C256-25 时间：2025/9/23 18:11:08 阅读：9

MBM27C256-25是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的高性能256Kbit（32K x 8）紫外线擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），属于经典的并行EPROM系列器件之一。该芯片采用CMOS技术制造，具有低功耗和高可靠性的特点，广泛应用于工业控制、通信设备、嵌入式系统以及老式计算机系统的固件存储中。MBM27C256-25中的“25”表示其最大访问时间（Access Time）为250ns，适用于对速度有一定要求但不追求极致性能的应用场合。该器件封装形式通常为双列直插DIP28或PLCC32，顶部带有石英窗口，允许用户通过紫外线照射擦除程序内容，从而实现多次重复编程。该芯片工作电压为+5V标准单电源供电，兼容TTL电平接口，便于与多种微处理器和微控制器直接连接。由于其非易失性存储特性，在断电后仍能长期保存数据（典型数据保持时间为10年以上），因此在需要稳定固件存储的场景中被广泛使用。尽管现代系统越来越多地采用EEPROM或Flash存储器以实现电擦除功能，但MBM27C25-25因其稳定性、抗干扰能力强和易于调试的特点，在某些特定领域仍有应用价值。

参数

型号：MBM27C256-25
　　存储容量：256 Kbit (32K × 8)
　　工艺技术：CMOS
　　封装类型：DIP28、PLCC32
　　访问时间：250ns
　　工作电压：+4.75V 至 +5.25V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　擦除方式：紫外线擦除（约15～20分钟，波长253.7nm）
　　编程电压：+12.5V（Vpp）
　　待机电流：≤100μA
　　工作电流：≤75mA
　　接口类型：并行接口
　　引脚数量：28（DIP）或32（PLCC）
　　输出电平：TTL兼容

特性

MBM27C256-25具备多项优异的电气和物理特性，确保其在复杂环境下的稳定运行。首先，该芯片采用高性能CMOS工艺制造，在保证高速访问能力的同时显著降低了功耗。在待机模式下，其电流消耗可低至100μA，有效延长了系统在低功耗状态下的运行时间，特别适用于需要节能设计的工业控制系统。其次，其250ns的存取时间在同类EPROM产品中处于中高端水平，能够满足大多数8位和16位微处理器系统的时序要求，如Intel 8086、Z80、68000等经典处理器平台。此外，该器件支持标准+5V工作电压，并在编程时使用+12.5V的高压Vpp引脚进行字节编程，编程过程可通过编程器精确控制脉冲宽度和电压，确保写入可靠性。芯片内部结构采用浮动栅MOS晶体管技术，能够在无电源情况下长期保存数据，典型数据保持时间超过10年。其封装顶部设有透明石英窗口，允许用户在需要更新程序时使用紫外线灯照射约15到20分钟即可完成全片擦除，这一特性在研发和调试阶段极为便利，工程师可以反复修改固件内容而无需更换芯片。该器件还具备良好的抗辐射和抗干扰能力，适用于电磁环境较复杂的工业现场。所有输入引脚均具备静电放电（ESD）保护电路，增强了器件在操作和焊接过程中的安全性。此外，MBM27C256-25符合多项国际工业标准，具有高可靠性和一致性，适合批量应用。其引脚排列与标准27系列EPROM完全兼容，便于系统升级或替换。总的来说，这些特性使MBM27C256-25成为一款兼具性能、稳定性和灵活性的经典EPROM器件。
　　

应用

MBM27C256-25广泛应用于多种需要非易失性程序存储的电子系统中。在工业自动化领域，它常用于PLC（可编程逻辑控制器）、数控机床和工控仪表中存储启动代码和控制算法，因其紫外线可擦除特性，便于在现场进行固件升级或故障恢复。在通信设备中，该芯片可用于存储交换机、路由器或调制解调器的引导程序（Bootloader），确保设备在上电后能够正确初始化硬件并加载操作系统。在嵌入式开发和教学实验平台中，MBM27C256-25因其直观的编程方式和可视化的擦除过程，常被用作学习微机原理和单片机系统的理想教材器件。许多老式计算机系统，如Apple II、早期PC兼容机及各种Z80架构的小型机，也采用此类EPROM存储BIOS或监控程序。此外，在医疗设备、测试仪器和航空航天电子系统中，该芯片凭借其高可靠性和长期数据保持能力，被用于关键固件的存储。虽然现代设计更多转向电可擦除的Flash或EEPROM，但在一些对电磁兼容性要求高或需要防止误写操作的场合，紫外线擦除的EPROM反而更具优势，因为其物理擦除机制避免了因软件错误导致的意外擦除风险。因此，MBM27C256-25不仅在历史产品维护中发挥重要作用，也在特定新设计中保有一席之地。