时间：2025/9/22 15:21:01
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MBM27C1000-20Z是一款由富士通（Fujitsu）生产的高性能、低功耗的5V CMOS紫外线可擦除可编程只读存储器（UV-EPROM），容量为1兆位（1024Kb），组织结构为128K x 8位。该芯片广泛应用于需要非易失性程序或数据存储的嵌入式系统、工业控制设备、通信设备以及老式计算机系统中。MBM27C1000-20Z采用标准的JEDEC 40引脚DIP（双列直插式封装）或PLCC封装，便于在多种电路板设计中进行安装和更换。其命名中的“-20”表示该器件的最大访问时间为20纳秒，适用于对读取速度有一定要求的高速应用场合。该芯片支持标准的编程电压（Vpp=12.5V）和常规的5V供电电压（Vcc），兼容TTL电平接口，能够无缝集成到大多数微处理器和微控制器系统中。此外，MBM27C1000-20Z具备高抗干扰能力和出色的可靠性，能够在工业级温度范围内稳定工作，确保在恶劣环境下的长期运行。由于其为紫外线可擦除类型，用户可通过移除芯片并使用专用EPROM擦除器清除内容后重新编程，适合研发调试和小批量生产场景。尽管随着闪存技术的发展，此类并行EPROM已逐渐被串行Flash取代，但在一些遗留系统维护、教育实验平台或特定工业设备中仍具有不可替代的价值。
制造商：Fujitsu
系列：MBM27C
存储器类型：UV-EPROM
存储容量：1 Mbit (128K x 8)
电源电压（Vcc）：4.5V ~ 5.5V
最大访问时间：20 ns
工作温度范围：-40°C ~ +85°C
封装类型：40-DIP 或 40-PLCC
编程电压（Vpp）：12.5V
输入/输出电平：TTL 兼容
待机电流：典型值 100 μA
工作电流：典型值 75 mA
该芯片采用先进的CMOS工艺制造，在保证高速读取性能的同时实现了极低的功耗表现，尤其是在待机模式下电流消耗仅为微安级别，显著延长了系统电池寿命或降低了整体热耗。其20ns的访问时间属于当时高速EPROM中的领先水平，能够满足8位和16位微处理器系统的总线时序需求，例如与Intel 8086、80386或Motorola 68000系列处理器配合使用时无需插入等待状态，从而提升系统整体执行效率。
MBM27C1000-20Z具有高度的数据保持能力，典型数据保存时间超过40年，即使在断电情况下也能长期可靠地保留程序代码和关键配置信息。每个存储单元经过严格测试，具备良好的耐久性，可承受多达1000次的编程/擦除周期，适合频繁修改固件的研发阶段使用。芯片内部集成了地址锁存和输出驱动电路，所有输入端均带有噪声抑制滤波设计，提高了在电磁干扰较强的工业现场中的稳定性。
该器件遵循JEDEC标准引脚定义，具备标准化的地址线（A0-A16）和数据线（I/O0-I/O7），易于替换同类产品或进行系统升级。此外，它支持常见的编程算法，并兼容多数通用EPROM编程器（如Data I/O、Xeltek等品牌设备），方便用户在现场或实验室环境中完成烧录操作。为防止误写入，芯片设有片选（CE）和输出使能（OE）双重控制逻辑，仅在有效读取周期才开启输出缓冲器，增强了系统的安全性与可靠性。
MBM27C1000-20Z主要用于需要大容量非易失性存储的老式工业控制系统、数控机床、自动化仪表、通信基站模块、路由器固件存储、医疗设备启动程序区以及教学实验平台中的单板机系统。在20世纪90年代至21世纪初，这类1Mbit EPROM常被用作嵌入式系统的主程序存储器，特别是在没有内置Flash的微控制器架构中作为外扩ROM使用。此外，它也常见于音频设备（如数字合成器）、游戏机主板（如街机板卡）、打印机固件模块等领域。由于其紫外线擦除特性，非常适合研发过程中反复修改和验证程序代码的应用场景。即便在当前，许多工厂仍在维护基于此类芯片的旧有设备，因此该型号依然在备件市场和维修领域保有较高的需求量。同时，电子爱好者和复古计算社区也常使用该芯片来复刻经典计算机系统或构建自制计算机项目。
SST39SF040-20-4C-PHE-T
M27C1001-20B1R6
