MBM2716 时间：2025/12/28 9:02:43 阅读：15

MBM2716是一款由富士通（Fujitsu）生产的2K位（256 x 8）紫外线擦除可编程只读存储器（EPROM）。该芯片采用NMOS技术制造，具有高可靠性和稳定的性能表现，广泛应用于早期的微处理器系统、工业控制设备、通信设备以及各种需要非易失性程序存储的场合。MBM2716的工作电压通常为+5V，具备标准的DIP24封装形式，其顶部设有石英玻璃窗口，允许用户在强紫外线照射下擦除芯片中的数据，从而实现多次重复编程。该器件在未编程状态下出厂，默认所有存储位为逻辑‘1’，编程时通过将特定地址的位写入‘0’来实现数据存储。由于其非易失性特性，即使断电后数据也能长期保存，适合用于固件存储和启动代码存放等关键应用。MBM2716支持并行访问架构，具备较快的读取速度，典型访问时间在450ns左右，满足当时大多数系统的实时读取需求。此外，该芯片还具备较高的抗干扰能力和温度稳定性，可在商业级温度范围内正常工作。随着半导体技术的发展，MBM2716已被更先进的闪存和EEPROM技术逐步取代，但在一些老旧设备维护和复古计算项目中仍具使用价值。

参数

存储容量：2K位（256 x 8）
　　工作电压：+5V ±5%
　　封装形式：DIP24
　　访问时间：典型450ns，最大550ns
　　编程电压：Vpp = +25.5V ±0.5V
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）
　　擦除方式：紫外线擦除（约15-20分钟，波长253.7nm）
　　输出驱动能力：可直接驱动TTL负载
　　待机电流：典型值10mA，最大值40mA
　　编程电流：最大100mA
　　数据保持时间：典型10年以上

特性

MBM2716作为一款经典的UV-EPROM器件，具备多项显著的技术特性，使其在20世纪70年代末至80年代中期广泛应用于各类电子系统中。首先，其采用的N沟道硅栅MOS技术确保了器件在高频读取操作下的稳定性和可靠性，能够在标准5V电源下完成高速数据读取，访问时间控制在450ns以内，这对于当时的微处理器系统而言是极为关键的性能指标。其次，该芯片支持紫外线擦除功能，用户可通过封装顶部的透明石英窗口将芯片暴露于高强度紫外光下（波长253.7nm），在15到20分钟内完成全部数据的擦除，从而实现反复编程使用。这一特性使得MBM2716在研发和调试阶段尤为受欢迎，工程师可以不断修改程序内容而无需更换芯片。
　　MBM2716具备标准的并行接口设计，拥有8位数据总线和8位地址总线（A0-A7），支持全地址空间寻址，便于与多种微处理器（如Z80、8085、6800等）直接连接，无需额外的地址锁存或译码逻辑。其输出端口兼容TTL电平，可直接驱动多个TTL输入端，简化了系统设计。在编程过程中，需要施加+25.5V的高压Vpp信号以完成写入操作，编程脉冲宽度通常为50ms，并需配合编程器精确控制。为防止误写入或数据泄露，该芯片在未上编程电压时仅能执行读取操作，增强了系统的安全性。
　　此外，MBM2716具备良好的环境适应性，工作温度范围覆盖0°C至+70°C，满足商业级应用需求。其数据保持能力可达10年以上，在正常存储条件下不会发生显著的数据衰减。尽管现代存储器已普遍采用电擦除技术（如Flash和EEPROM），但MBM2716因其结构简单、可靠性高、抗辐射能力强，在某些工业控制、航空航天遗留系统及教育实验平台中仍有应用价值。同时，其透明窗口设计也便于识别芯片状态和版本信息，方便现场维护。

应用

MBM2716主要用于需要可重复编程非易失性存储的早期电子系统中。典型应用场景包括微型计算机的BIOS存储、工业控制器的固件存储、通信设备的配置程序保存、测试仪器的引导代码存储以及教学实验中的程序验证平台。由于其支持紫外线擦除和重复编程，特别适用于研发阶段频繁修改程序的环境。此外，该芯片也常见于嵌入式控制系统、数控设备、老式打印机和终端设备中，用于存放固定运行程序。在复古计算和电子修复领域，MBM2716至今仍被爱好者用于复原经典计算机系统，如Apple II、TRS-80等早期机型的扩展卡或外围模块中。其稳定的性能和广泛的兼容性使其成为当时嵌入式系统设计的重要组成部分。