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MBM200HP6GW 发布时间 时间:2025/9/6 12:25:25 查看 阅读:8

MBM200HP6GW 是一款由 Fuji Electric(富士电机)制造的高功率双极型晶体管(Bipolar Junction Transistor, BJT),属于功率晶体管类别。它主要用于需要高电压和高电流承受能力的电力电子应用中,如变频器、逆变器、电机驱动和工业电源系统等。这款晶体管设计用于高效能、高可靠性和高热稳定性,适用于工业环境中的严苛工作条件。

参数

类型:NPN型双极晶体管
  最大集电极-发射极电压(Vce):600V
  最大集电极电流(Ic):200A
  最大功率耗散(Ptot):400W
  最大工作温度(Tj):150°C
  封装类型:TO-200封装
  增益(hFE):典型值为 5000 - 10000(在 Ic = 20A, Vce = 5V 条件下)
  集电极-基极电压(Vcb):700V
  发射极-基极电压(Veb):5V
  存储温度范围:-55°C 至 +150°C

特性

MBM200HP6GW 是一款专为高功率应用设计的双极晶体管,具备出色的电气性能和热稳定性。其最大集电极-发射极电压为600V,能够承受高电压应力,适用于高压电路环境。最大集电极电流为200A,使其适用于高电流负载的应用场景。该晶体管的功率耗散能力为400W,能够在高功耗条件下保持稳定运行,同时具备良好的散热性能。
  该晶体管采用TO-200封装,确保了良好的机械强度和热传导能力,适用于工业级应用。其高电流增益(hFE)在典型工作条件下可达5000至10000,使得其在低基极电流驱动下仍可实现高效的集电极电流控制,从而降低驱动电路的复杂性和功耗。
  MBM200HP6GW 的工作温度范围较宽,可在-55°C至+150°C之间稳定工作,适应各种严苛的环境条件。此外,其集电极-基极电压为700V,进一步增强了其在高电压应用中的可靠性。发射极-基极电压限制为5V,需在使用时注意驱动电路的设计以避免过压损坏。
  该晶体管具有良好的短路和过载保护能力,能够在非理想工作条件下维持较长时间的稳定运行,适合用于工业自动化、电机驱动和电源转换系统等关键应用。

应用

MBM200HP6GW 广泛应用于需要高电压和高电流处理能力的电力电子系统中。它常用于工业变频器、电机驱动器、逆变器、UPS(不间断电源)、焊接设备、电能转换系统以及高功率放大器等场合。由于其高可靠性和热稳定性,它也适用于恶劣工作环境下的电力控制设备。

替代型号

MBM200HP6GWE Fuji Electric, MBM250HP6GW Fuji Electric, MBM200HP6GW1 Fuji Electric, ST200N60DJF STMicroelectronics

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