类型：IGBT模块
　　额定集电极-发射极电压（VCES）：1200V
　　额定集电极电流（IC）：100A（在Tc=80℃时）
　　短路耐受能力：10μs以上
　　工作温度范围：-40℃ ~ +150℃
　　封装类型：双列直插式（DIP）或螺钉安装型
　　封装材料：绝缘型（带散热基板）
　　芯片技术：IGBT4芯片
　　内部结构：6-Pack（三相全桥结构）
　　导通压降：约2.1V @ IC=100A, Tj=25℃
　　最大功耗：约200W

MBM100AS6A 模块采用了富士电机第四代IGBT芯片技术（IGBT4），具有较低的导通压降和开关损耗，从而提高了系统的整体效率。其6-Pack结构包含了三相全桥所需的六个IGBT单元以及对应的反并联二极管，适用于三相交流电机的变频控制。
　　该模块具备良好的热管理能力，采用铝氧化物陶瓷基板（Al2O3 DBC）和高导热系数的封装材料，有效提高了散热效率。此外，模块内部采用低电感设计，减少了开关过程中的电压尖峰，提高了系统的稳定性。
　　MBM100AS6A 的封装设计符合工业级防护标准，具备良好的绝缘性能，适用于需要高可靠性的工业自动化和电机控制应用。模块还具备一定的短路耐受能力，能够在异常工况下提供额外的安全裕量，保护系统免受损坏。
　　该模块的引脚布局设计合理，便于与外部电路连接，适用于PCB安装或螺钉固定安装方式，适合多种工业应用场合。

MBM100AS6A 常用于工业变频器、伺服驱动器、UPS不间断电源、电焊机、感应加热设备以及新能源汽车充电设备等功率变换系统中。其三相全桥结构特别适用于三相交流电机的调速控制，广泛应用于自动化生产线、数控机床、机器人控制等领域。此外，该模块也可用于光伏逆变器、储能系统等可再生能源转换设备中，实现高效的能量转换与控制。

MBM100XV12A、MBM150XV12A、PM100CL1A060、SKM100GB12T4