类型：NPN SiGe:C RF BJT
　　集电极-发射极击穿电压（VCEO）：12 V
　　集电极电流（IC）：30 mA
　　直流电流增益（hFE）：典型值 120 @ IC = 2 mA
　　特征频率（fT）：高达 12 GHz
　　噪声系数（NF）：典型值 1.2 dB @ 2 GHz, VCE = 3 V, IC = 10 mA
　　增益（|h21|）：典型值 18 dB @ 2 GHz
　　封装形式：SOT-753 (SC-89)
　　工作温度范围：-55°C 至 +150°C
　　最大功耗（Ptot）：225 mW
　　过渡频率（fT）：≥ 10 GHz
　　集电极-基极电压（VCBO）：12 V
　　发射极-基极电压（VEBO）：1.5 V

MBG131的核心优势在于其基于硅锗碳化物（SiGe:C）技术的高性能射频放大能力。该工艺通过在硅锗材料中引入碳原子，有效抑制了基区自掺杂和硼扩散，从而提升了晶体管的高频响应和可靠性。这种结构使得MBG131在高频段（如2GHz以上）依然能够保持优异的增益和极低的噪声系数，特别适合用作接收链路中的低噪声放大器（LNA）。其典型噪声系数仅为1.2dB，在2GHz频率下表现出色，远优于传统硅双极型晶体管，接近GaAs器件的性能水平，但成本更低且更易于集成。
　　该器件具有良好的线性度和高截止频率（fT高达12GHz），确保在宽频带内实现平坦的增益响应，适用于多频段通信系统。同时，MBG131的直流电流增益较高且一致性好，有助于简化偏置电路设计，提高系统稳定性。其SOT-753小型封装不仅节省空间，还降低了引线电感，减少了高频下的寄生效应，有利于提升整体射频性能。此外，器件具备较强的热稳定性和抗老化能力，可在恶劣环境温度下长期可靠运行，适用于工业级和汽车级应用场景。
　　MBG131的工作电压范围较宽，通常在2.7V至6V之间均可正常工作，允许灵活配置电源管理方案。其低功耗特性（典型静态电流约10mA）也使其适用于便携式或电池供电设备中的射频前端设计。综合来看，MBG131是一款兼顾高性能、小尺寸与高可靠性的射频晶体管，是现代无线通信系统中理想的放大元件选择。

MBG131主要应用于各类高频无线通信系统中的低噪声放大和信号预放大环节。典型应用包括蜂窝基站的接收前端模块，特别是在GSM、CDMA、WCDMA和LTE等移动通信标准中，用于增强微弱信号的接收灵敏度。此外，它也广泛用于Wi-Fi 5（802.11ac）和Wi-Fi 6（802.11ax）接入点及客户端设备中，作为2.4GHz和5GHz频段的低噪声放大器，以提升无线连接的稳定性和传输距离。
　　在物联网（IoT）和智能家居设备中，MBG131可用于Zigbee、LoRa或专有无线协议的射频收发器前端，提供高增益、低噪声的信号放大功能，确保远距离和复杂电磁环境下的通信质量。其高线性度特性也使其适用于点对点微波通信系统、卫星通信终端以及数字电视接收设备中的射频信号调理电路。
　　此外，MBG131还可用于测试与测量仪器、软件定义无线电（SDR）平台以及军用通信设备中，作为宽带放大器的关键组件。由于其良好的温度稳定性和长期可靠性，该器件也被考虑用于车载通信模块和轨道交通通信系统中，满足严苛环境下的性能需求。总之，凡是对射频增益、噪声性能和稳定性有较高要求的应用场景，MBG131均是一个值得信赖的选择。

MGA-633P8
　　BFG670W
　　BFP740F
　　NE85633