时间：2025/9/6 21:44:43
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MBB50AS6是一款由STMicroelectronics（意法半导体）制造的双极型NPN晶体管，常用于高频放大和开关应用。这款晶体管在电子电路中被广泛使用，特别是在需要高频率和高性能的场景中。
晶体管类型：NPN
最大集电极-发射极电压（Vce）：80V
最大集电极电流（Ic）：100mA
最大功耗（Ptot）：300mW
过渡频率（fT）：100MHz
封装类型：SOT-23
MBB50AS6晶体管具有优异的高频性能，适合用于射频（RF）和中频（IF）放大电路。其高过渡频率（fT）为100MHz，使得它能够在高频环境下保持良好的增益特性。此外，该晶体管的低噪声系数和高增益特性使其成为射频接收器和信号放大器的理想选择。
该晶体管采用了SOT-23封装，具有紧凑的尺寸和良好的热性能，适合在高密度电路板上使用。此外，MBB50AS6具有良好的稳定性和可靠性，能够在较宽的温度范围内正常工作，适用于工业和消费类电子产品。
MBB50AS6的集电极-发射极电压最大为80V，集电极电流最大为100mA，最大功耗为300mW。这些参数使得它能够在中等功率应用中稳定运行，同时保持较低的功耗。
MBB50AS6晶体管广泛应用于射频放大器、中频放大器、信号开关和通用放大电路中。它特别适合用于无线通信设备、射频接收器、音频放大器和数据传输系统。此外，该晶体管还可用于模拟和数字电路中的信号处理和控制应用。
在射频应用中，MBB50AS6能够提供稳定的增益和低噪声性能，确保信号的清晰度和可靠性。在开关应用中，它的快速响应和高电流处理能力使其成为理想的开关元件。由于其优异的性能和广泛的应用范围，MBB50AS6在电子工程领域中占据重要地位。
BC547, 2N3904
