型号：MB8P-90(LF)(SN)
　　制造商：Rohm Semiconductor
　　晶体管类型：P沟道
　　漏源电压（VDS）：-30V
　　栅源电压（VGS）：±20V
　　连续漏极电流（ID）：-4.4A（@ VGS = -10V）
　　脉冲漏极电流（IDM）：-12A
　　导通电阻（RDS(on)）：45mΩ（@ VGS = -10V）
　　导通电阻（RDS(on)）：60mΩ（@ VGS = -4.5V）
　　阈值电压（VGS(th)）：-1.0V ~ -2.5V
　　输入电容（Ciss）：570pF（@ VDS = -15V）
　　输出电容（Coss）：190pF（@ VDS = -15V）
　　反向传输电容（Crss）：40pF（@ VDS = -15V）
　　栅极电荷（Qg）：11nC（@ VGS = -10V）
　　功耗（Pd）：1.5W
　　工作结温范围：-55°C ~ +150°C
　　封装类型：S-Mini（相当于DFN1010B）

MB8P-90(LF)(SN)具备出色的电气性能和热稳定性，其P沟道结构设计使其在高边开关和负载开关应用中表现出色。该器件的低导通电阻显著降低了导通状态下的功率损耗，有助于提高电源转换效率并减少散热需求。在VGS为-10V时，RDS(on)仅为45mΩ，而在更常见的-4.5V驱动条件下仍能保持60mΩ的低阻值，确保了在低压控制信号下也能实现高效导通。这种特性使其非常适合用于由3.3V或5V逻辑信号直接驱动的开关电路。
　　该MOSFET具有快速的开关响应能力，得益于较低的栅极电荷（Qg = 11nC）和输入电容，能够实现高频开关操作而不会引入过多的开关损耗。这对于现代高频率DC-DC转换器尤为重要，有助于减小外围元件尺寸并提升功率密度。此外，其较小的反向传输电容（Crss）有助于降低噪声耦合，提高系统的电磁兼容性（EMC）表现。
　　S-Mini封装不仅体积小巧（典型尺寸约为1.0mm x 1.0mm），还具备良好的热传导性能，通过底部散热焊盘可将热量有效传递至PCB，从而提升功率处理能力。该封装符合RoHS环保要求，且不含卤素，满足现代电子产品对绿色制造的需求。器件的工作结温范围宽达-55°C至+150°C，可在严苛的环境条件下稳定运行，增强了系统可靠性。此外，MB8P-90(LF)(SN)经过严格的质量认证，具备高抗冲击和振动能力，适用于移动设备和车载电子等复杂应用场景。

MB8P-90(LF)(SN)广泛应用于多种低电压、高效率的电源管理场景。常见用途包括便携式电子设备中的电池电源开关，用于控制电池与主电路之间的连接与断开，实现节能待机或过流保护功能。在智能手机、平板电脑、可穿戴设备等产品中，该器件常被用作负载开关，以精确控制不同模块的供电时序，防止浪涌电流影响系统稳定性。
　　此外，它也适用于同步降压（Buck）转换器中的上管开关，尤其是在非隔离式DC-DC电源模块中，配合控制器实现高效的电压调节。由于其P沟道特性，无需额外的自举电路即可完成高边驱动，简化了电路设计并降低成本。该器件还可用于OR-ing二极管替代方案，在冗余电源系统中实现自动切换和反向电流阻断，提高系统可用性。
　　在电机驱动、LED驱动和USB电源管理等领域，MB8P-90(LF)(SN)同样表现出色。例如，在USB Type-C或PD电源路径管理中，可用于控制Vbus的通断，配合协议芯片实现安全的插拔检测与供电控制。工业传感器、IoT节点和无线通信模块等低功耗系统也常采用该MOSFET进行电源门控，延长电池寿命。其小型化封装特别适合空间受限的应用，是现代高集成度电子产品中理想的功率开关解决方案。

DMG2302UK-7
　　AO3401A
　　Si2301DS
　　FDS6670A