容量：1Mbit（128K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　最大访问时间：55ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：54引脚TSOP
　　输入/输出电压兼容性：3.3V 和 5V 兼容
　　功耗（典型值）：工作模式：100mA，待机模式：10mA
　　封装尺寸：8mm x 14mm
　　数据保持电压：1.5V

MB8AG1013LBF-GE1具有多项出色的性能特性。首先，其高速访问时间为55ns，能够满足对数据存取速度有较高要求的应用。其次，该器件支持宽电压范围（2.3V至3.6V），提高了设计灵活性，并能在不同电源条件下稳定工作。此外，MB8AG1013LBF-GE1支持3.3V和5V的输入/输出电压兼容性，便于与多种系统接口连接，减少了电平转换器的需求，简化了电路设计。
　　在功耗方面，该SRAM具有低功耗特性，在工作模式下的典型电流为100mA，而在待机模式下电流仅为10mA，适合对功耗敏感的应用。此外，该器件具备数据保持功能，在电源电压降至1.5V时仍能保持数据完整性，适用于需要数据保持能力的系统。
　　MB8AG1013LBF-GE1的工作温度范围为-40°C至+85°C，适用于各种工业和高温环境应用。其54引脚TSOP封装不仅体积小巧，还具备良好的散热性能，适用于高密度PCB布局。

MB8AG1013LBF-GE1广泛应用于需要高速、低功耗和小型化设计的嵌入式系统中。典型应用包括工业控制系统、通信模块（如路由器、交换机）、网络设备、消费电子产品（如智能家电、手持设备）以及汽车电子系统。其宽电压工作范围和高温耐受能力使其在恶劣环境下的稳定运行成为可能。

IS61LV1024-55BLLI-TR, CY62148EVLL-55BZS, IDT71V128L15PFG, A2B51000D-I60