型号：MB87S2100PMC-G-BNDE1
　　制造商：Fujitsu（现归属于Cypress Semiconductor，后并入Infineon Technologies）
　　存储容量：2 Mbit (256K × 8)
　　接口类型：SPI（四线制：SI, SO, SCK, CS#）
　　工作电压：3.0V ~ 3.6V
　　工作温度范围：-40°C ~ +85°C
　　封装形式：8-pin SOP
　　时钟频率：最高40 MHz
　　读写耐久性：10^14 次
　　数据保持时间：10年（典型值）
　　写入时间：无延迟（即时写入）
　　功耗模式：主动模式与待机模式可切换
　　写保护功能：软件与硬件写保护选项

MB87S2100PMC-G-BNDE1 的核心优势在于其基于铁电技术的非易失性存储单元，这种技术不同于传统的浮栅型闪存或EEPROM，它利用铁电材料的极化状态来存储数据。当施加电场时，铁电晶体结构会发生极化方向的变化，分别代表逻辑“0”和“1”，并且这种极化状态在断电后仍能长期保持，从而实现非易失性。由于该过程不涉及电荷注入或隧穿效应，因此不会造成介质老化，显著提升了器件的写入寿命。该芯片支持高达10^14次的读写操作，远远超过普通EEPROM的10^6次和闪存的10^5次，使其非常适合用于需要频繁更新数据的应用，例如工业传感器数据采集、智能电表日志记录或POS终端交易缓存。
　　SPI接口设计使得MB87S2100PMC-G-BNDE1 能够轻松集成到现有的微控制器系统中。其支持标准SPI模式0（CPOL=0, CPHA=0）和模式3（CPOL=1, CPHA=1），增强了与其他主控设备的兼容性。指令集简洁高效，包括读、写、写使能、写禁止、状态寄存器读/写等基本命令，便于固件开发。特别地，该器件在执行写操作时无需额外的写入等待时间，数据在最后一个时钟脉冲结束后即完成存储，避免了因轮询或延时导致的CPU资源浪费。
　　该芯片还具备灵活的写保护机制，可通过WP#引脚（硬件写保护）或状态寄存器中的写保护位（软件写保护）来防止意外写入或擦除操作，提升数据安全性。此外，其低功耗特性也十分突出，在待机模式下电流消耗仅为数微安级别，有助于延长电池供电设备的工作寿命。由于无需复杂的电压泵电路来支持写入操作，其电源设计更为简单，降低了系统复杂度和成本。

MB87S2100PMC-G-BNDE1 广泛应用于对数据写入频率高、可靠性要求严苛以及断电后需保留关键信息的嵌入式系统中。在工业自动化领域，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点中，用于实时记录工艺参数、故障日志或校准数据。其高耐久性和快速写入能力确保即使在频繁采集的环境下也不会出现存储瓶颈或数据丢失。
　　在智能仪表类设备如智能水表、电表和燃气表中，该芯片可用于存储用户用量数据、计费信息和事件记录，由于其非易失性和抗疲劳特性，能够有效应对每日多次写入的需求，并在更换电池或断电时保障数据完整性。
　　在汽车电子系统中，MB87S2100PMC-G-BNDE1 可用于存储车辆配置信息、ECU标定参数或行车记录数据，尤其适用于启停频繁、温度变化剧烈的环境。其宽温工作能力和高可靠性满足车规级应用的基本要求。
　　医疗设备方面，该芯片适用于便携式监护仪、血糖仪或输液泵等设备，用于保存患者历史记录、设备设置或报警日志。由于FRAM无辐射敏感性，也可用于某些特殊医疗或航空航天场景。
　　此外，在消费类电子产品如打印机、POS终端、智能家居控制器中，该芯片可用于存储用户偏好设置、交易缓存或固件更新中间数据，提升用户体验和系统稳定性。

CY15B104QSXI-40SXI
　　CY15B108QSXI-40SXI
　　FM25W256-G
　　MB85RS2MT