时间：2025/9/7 10:48:18
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MB87M4690PMT-G-BNDE1 是富士通（Fujitsu）公司推出的一款高性能、低功耗的16位静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片主要用于需要高速数据存取的工业、通信和汽车应用。其封装形式为54引脚TSOP（薄型小外形封装），适用于紧凑型电路设计。MB87M4690PMT-G-BNDE1采用CMOS工艺制造，提供高速访问时间和低功耗特性，能够在各种恶劣环境下稳定运行。
容量：1Mbit（64K x 16）
访问时间：55ns
电源电压：2.3V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：54-TSOP
接口类型：并行
最大工作频率：约18MHz
功耗：典型值为150mA（待机模式下可降至10mA）
MB87M4700PMT-G-BNDE1具有多项优异特性。首先，其高速访问时间为55ns，使得数据存取更为迅速，适用于实时性要求高的系统。其次，该芯片支持2.3V至3.6V宽电压范围供电，增强了设计灵活性，同时也提高了在不同电源条件下的适应能力。
此外，MB87M4690PMT-G-BNDE1具备低功耗特性，在正常工作模式下电流消耗仅为150mA，待机模式下可降至10mA，非常适合需要节能设计的应用场景。其工作温度范围为-40°C至+85°C，满足工业级和汽车级环境要求，确保在极端温度条件下的稳定运行。
封装方面，该芯片采用54-TSOP封装形式，体积小巧，适用于空间受限的电路板设计。同时，其CMOS工艺不仅降低了功耗，还提高了抗干扰能力，增强了芯片的稳定性和可靠性。此外，该芯片的并行接口结构支持16位数据总线，能够提供较高的数据传输带宽，适合高速数据缓冲、图像处理、通信交换等应用场合。
MB87M4690PMT-G-BNDE1广泛应用于需要高性能和高可靠性的嵌入式系统中，如工业控制设备、通信基础设施（如交换机和路由器）、测试测量仪器以及汽车电子系统等。其高速、低功耗和宽温特性使其特别适合用于实时数据处理、缓存存储、图形缓冲等场景。例如，在工业自动化系统中，它可以作为高速缓存来提升控制器的响应速度；在通信设备中，可用于临时存储数据包，提升数据转发效率；在汽车电子中，可用于ADAS系统中的数据暂存或仪表盘图像缓存，确保系统运行的稳定性。
CY7C1041CV33-10ZSXI, IDT71V416SA10PFGI, IS61LV1048-10T
