时间：2025/8/9 4:37:54
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MB87M4390HB-GE1 是由富士通（Fujitsu）推出的一款高速静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于异步SRAM类别，具有高性能和低功耗的特点，广泛用于通信设备、工业控制、网络设备以及需要高速存储访问的嵌入式系统中。MB87M4390HB-GE1采用CMOS技术制造，支持高速数据读写操作，适用于对存储性能要求较高的应用场景。
存储容量：256K x 16位
访问时间：10ns（最大）
电源电压：3.3V ± 0.3V
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装形式：54引脚 TSOP（薄型小外形封装）
接口类型：异步
读写控制信号：支持CE（片选）、OE（输出使能）、WE（写使能）
功耗：典型待机电流小于1mA
封装尺寸：54-TSOP
数据保持电压：1.5V（最低）
最大读取电流：120mA
MB87M4390HB-GE1 SRAM芯片具备多项显著特性。首先，其10ns的访问时间使其适用于高速数据处理场景，能够满足实时控制系统和通信设备对响应速度的要求。其次，该芯片采用低功耗设计，在待机模式下功耗极低，适合嵌入式系统和便携式设备应用。此外，其支持3.3V电源供电，与现代微处理器和控制器的电压标准兼容，简化了系统设计。该芯片还具备数据保持功能，在系统掉电情况下可通过备用电源保持数据完整性，适用于关键数据存储需求。54-TSOP封装形式不仅体积小巧，而且具备良好的散热性能，适合高密度PCB布局。
MB87M4390HB-GE1 SRAM芯片被广泛应用于多个领域。在工业控制方面，可用于PLC（可编程逻辑控制器）和嵌入式系统中的高速数据缓存。在通信设备中，常用于交换机、路由器和无线基站的高速缓冲存储器。此外，该芯片也适用于测试测量仪器、医疗设备、智能卡终端等对数据访问速度和可靠性有较高要求的应用场景。其低功耗、高速和宽温特性使其在户外设备和恶劣环境下也能稳定工作。
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"MB87M4390HB-GE2",
"IS61LV25616-10B4BLI",
"CY7C1041CV33-10ZSXI",
"AS7C325616C-10BCTR",
"IDT71V433S10PFGI"
]
