MB87M4342是一款由富士通(Fujitsu)公司推出的高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片采用了先进的CMOS技术制造,具有高速度、低功耗和高可靠性等特点。MB87M4342的存储容量为256K x 16位,工作电压为3.3V,适用于需要高性能存储解决方案的应用场景,如通信设备、工业控制、网络设备和嵌入式系统等。
容量:256K x 16位
电压:3.3V
访问时间:55ns
封装类型:TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:并行接口
功耗:典型值为1.2W
封装尺寸:54引脚TSOP
数据保持电压:2.0V至3.6V
MB87M4342 SRAM芯片的主要特性包括其高速访问时间(55ns),这使得它非常适合需要快速数据存取的应用场景。该芯片采用了低功耗CMOS技术,使其在保持高性能的同时,功耗也得到了有效控制。此外,MB87M4342具有广泛的工作电压范围(2.0V至3.6V),增强了其在不同电源条件下的适应性。该芯片的封装形式为54引脚TSOP,体积小巧,适合在空间受限的设备中使用。MB87M4342还支持数据保持模式,在低电压或待机状态下仍能保持数据完整性,这使其非常适合用于需要长时间数据存储的应用。此外,该芯片的工业级温度范围(-40°C至+85°C)确保了其在极端环境下的稳定运行。
MB87M4342 SRAM芯片广泛应用于需要高性能和低功耗存储解决方案的设备中。它常用于通信设备中的高速缓存和临时数据存储,例如路由器和交换机。在工业控制系统中,该芯片可用于存储实时数据和程序代码,以确保系统的快速响应和高可靠性。此外,MB87M4342也适用于嵌入式系统,如智能仪表、医疗设备和自动化设备,这些设备对存储器的速度、功耗和稳定性都有较高要求。由于其宽电压范围和工业级温度适应性,MB87M4342也适用于恶劣环境下的便携式电子设备和军事电子系统。
IS61LV25616-55BLLI、CY7C1041GN30、AS7C325616C-55BCB、IDT71V434S163PI