容量：128K x 8位
　　组织结构：128K x 8
　　电压：3.3V
　　访问时间：10ns
　　封装：52引脚 TSOP
　　工作温度范围：工业级（-40°C至+85°C）
　　接口类型：并行接口
　　最大工作频率：100MHz

MB87M4180RB-GE1 SRAM芯片具备高速访问能力，其访问时间仅为10ns，能够满足高性能系统对快速数据存取的需求。该芯片采用低功耗设计，在保持高性能的同时，有效降低系统功耗，适合对能效要求较高的应用场景。
　　该芯片的供电电压为3.3V，符合现代电子设备的电压标准，兼容性强，易于集成到各种系统中。封装形式为52引脚TSOP，体积小巧，适用于紧凑型设计的电子设备。
　　MB87M4180RB-GE1支持并行接口，提供8位数据总线，便于与处理器或控制器进行高速连接。其工作温度范围覆盖工业级标准（-40°C至+85°C），能够在各种恶劣环境下稳定运行，适用于工业控制、通信设备等对环境适应性要求高的应用。
　　此外，该芯片具有较高的可靠性和稳定性，SRAM无需刷新电路，能够提供持续的数据存储能力，适用于缓存、高速缓冲存储器等关键部件。

MB87M4180RB-GE1被广泛应用于各种需要高速存储的电子系统中。例如，在工业控制设备中，该芯片可用于存储临时数据、程序代码或缓存信息，以提高系统的响应速度和处理能力。在通信设备中，MB87M4180RB-GE1可用于高速数据缓冲、帧缓存等功能，支持网络设备、交换机、路由器等的稳定运行。
　　在嵌入式系统中，该SRAM芯片常用于高性能微控制器、DSP（数字信号处理器）系统中，作为高速数据存储单元，提升系统的整体性能。此外，该芯片也适用于测试设备、测量仪器、医疗设备等对数据存取速度和稳定性有较高要求的应用场景。
　　由于其工业级温度范围和高可靠性，MB87M4180RB-GE1也常用于车载电子系统、航空航天设备、安防监控系统等关键领域，确保在复杂环境下系统的稳定运行。

CY62148EVLL-45ZSXI, IS61LV25616-10B4BLI, IDT71V416S10PFG, MB87M4181RB-GE1