类型：CMOS SRAM
　　存储容量：2 Mbit
　　组织结构：128K x 16
　　供电电压：3.3V ± 0.3V
　　最大访问时间：55 ns / 70 ns / 85 ns（依具体子型号而定）
　　工作电流：典型值 90 mA（运行模式），低至 1 μA（待机模式）
　　输入/输出逻辑电平：LVTTL 兼容
　　封装形式：44-pin TSOP Type II, 44-pin SOP
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　读写操作：支持异步读写，双向数据总线
　　控制信号：CE#（片选低有效）、WE#（写使能）、OE#（输出使能）
　　功耗特性：CMOS低功耗设计，支持CMOS/TTL兼容接口

MB87M3240的核心特性之一是其高速异步读写能力，访问时间最短可达55纳秒，使其能够在高频率的处理器总线系统中实现无缝数据交换。这一特性对于实时控制系统至关重要，例如在工业自动化设备中，CPU需要频繁访问配置寄存器或缓冲区数据，快速响应外部事件。该芯片采用全静态CMOS设计，无须刷新操作，简化了系统设计复杂度，提高了系统稳定性。
　　另一个显著特点是其低功耗管理模式。当片选信号CE#为高电平时，芯片自动进入低功耗待机模式，此时内部电路大部分关闭，仅维持基本偏置状态，电流消耗可降至微安级别。这种“自动休眠”机制非常适合电池供电或对热管理敏感的应用场合，如便携式通信终端或远程监控设备。
　　MB87M3240具备良好的噪声抑制能力和电平兼容性，支持LVTTL接口标准，能够与多种主流微处理器、DSP和FPGA直接连接而无需额外电平转换电路。其16位宽的数据总线设计适用于16位或32位嵌入式系统中的外扩存储需求，提升数据吞吐效率。
　　该器件还具备高可靠性和长寿命特性，基于成熟的半导体工艺制造，经过严格的老化测试和环境适应性验证，可在工业级温度范围内（-40°C至+85°C）稳定工作，适用于恶劣环境下的长期运行。同时，其TSOP封装具有较小的占板面积和良好的散热性能，有助于提高PCB布线密度和系统集成度。
　　值得一提的是，MB87M3240不包含任何内部错误校正（ECC）功能，因此在对数据完整性要求极高的应用中，需由外部控制器实现相应的保护机制。尽管该型号已逐渐被新型低功耗、更高密度的存储器替代，但在某些特定领域仍因其成熟方案和兼容性优势而继续使用。

MB87M3240主要应用于需要高速、可靠、非易失性无关的静态存储解决方案的各类电子系统中。在通信基础设施领域，该芯片常见于路由器、交换机和基站设备中，用于暂存报文头信息、队列管理数据或协议栈临时变量，凭借其快速访问特性支持线速数据包处理。
　　在工业控制方面，MB87M3240被广泛用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和运动控制卡中，作为CPU外扩的数据缓冲区或程序缓存，提升系统响应速度和多任务处理能力。其工业级温度适应性确保在工厂环境中长期稳定运行。
　　在嵌入式系统和消费类高端设备中，如医疗影像设备、测试仪器和数字视频记录仪，该SRAM用于图像帧缓冲、采样数据暂存等场景，满足大数据量实时处理的需求。
　　此外，在航空航天与国防电子系统中，部分老旧但仍在服役的设计依然采用MB87M3240作为核心存储单元，因其经过长期验证的可靠性而被保留。尽管目前已有更先进的替代技术，如QDR SRAM或低功耗DDR，但在维护既有设备和兼容旧版硬件平台时，MB87M3240仍具有不可替代的价值。

IS61WV204816BLL-55BLI
　　CY7C1041GN30-55ZSXI
　　IDT71V416SA55PFGI
　　AS6C2016-55PIN