MB87M1852HB-GE1 时间：2025/9/24 13:54:47 阅读：8

MB87M1852HB-GE1是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的16位高性能CMOS静态随机存取存储器（SRAM），容量为512K x 16位，总存储容量为8兆位（8Mbit）。该器件专为需要高速数据存取和低功耗特性的工业、通信及嵌入式系统应用而设计。MB87M1852HB-GE1采用先进的制造工艺，确保在宽温度范围内稳定运行，适用于对可靠性要求较高的应用场景。该芯片封装形式为TSOP2（Thin Small Outline Package），引脚数为80，具有良好的散热性能和紧凑的尺寸，适合高密度PCB布局。
　　该SRAM支持异步读写操作，访问时间典型值为55纳秒，能够满足大多数中高端嵌入式系统的性能需求。其工作电压为3.3V ± 0.3V，具备低功耗待机模式，在待机状态下电流消耗极低，有助于延长便携式设备的电池寿命。此外，该器件符合工业级温度范围要求（-40°C至+85°C），可在恶劣环境下稳定运行。MB87M1852HB-GE1广泛应用于网络设备、工业控制、医疗仪器、测试测量设备以及需要高速缓存的嵌入式处理器系统中。

参数

型号：MB87M1852HB-GE1
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：SRAM
　　组织结构：512K x 16位
　　总容量：8Mbit
　　工作电压：3.3V ± 0.3V
　　访问时间：55ns（典型值）
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：80-pin TSOP2
　　输入/输出电平：LVTTL兼容
　　供电电流（运行模式）：典型值40mA
　　待机电流：最大值3μA
　　读写模式：异步
　　数据总线宽度：16位
　　地址总线宽度：19位

特性

MB87M1852HB-GE1具备出色的高速读写性能，其典型的访问时间为55ns，能够在微处理器、DSP或其他控制器需要快速响应的应用中提供可靠的数据存取支持。该器件采用CMOS技术制造，有效降低了动态功耗和静态漏电流，尤其在待机或低活动状态时表现出优异的节能特性。其低待机电流（最大3μA）使得该芯片非常适合用于电池供电或对能效敏感的系统设计。
　　该SRAM具有LVTTL（低压晶体管-晶体管逻辑）接口电平，可与多种现代数字逻辑器件直接接口，无需额外的电平转换电路，简化了系统设计并提高了信号完整性。所有输入端均兼容TTL电平，增强了与其他系统的互操作性。器件内部集成了片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）控制信号，支持页写入、突发写入等灵活的操作模式，便于实现高效的内存管理策略。
　　在可靠性方面，MB87M1852HB-GE1通过了严格的工业级认证，能够在-40°C至+85°C的宽温范围内稳定工作，适应严苛的工业环境。其TSOP2封装不仅体积小巧，还具备良好的热性能和机械稳定性，适合自动化贴片生产。此外，该芯片抗干扰能力强，具备较强的噪声抑制能力，确保在复杂电磁环境中仍能保持数据完整性。富士通在SRAM领域拥有长期的技术积累，产品经过严格的质量控制流程，保证了长期供货和批次一致性，适合需要长期维护的工业项目使用。

应用

MB87M1852HB-GE1广泛应用于各类对速度、稳定性和可靠性有较高要求的电子系统中。在通信基础设施中，常用于路由器、交换机和基站设备中的数据缓冲区或帧缓存，以提升数据处理效率。在工业自动化领域，它被集成于PLC（可编程逻辑控制器）、HMI（人机界面）和运动控制系统中，作为临时数据存储单元，支持实时任务调度和高速I/O响应。
　　此外，该芯片也适用于医疗电子设备，如超声成像仪、病人监护仪等，这些设备通常需要快速访问配置参数和实时采集的数据流。在测试与测量仪器中，例如示波器、逻辑分析仪，MB87M1852HB-GE1可用于高速采样数据的暂存，保障信号不失真。在嵌入式系统设计中，当主控MCU或DSP片内RAM不足时，该SRAM可作为外部扩展内存，用于运行代码或存储中间变量，提升系统整体性能。由于其工业级温度特性，还可用于车载电子、航空航天及户外监控设备等极端环境下的应用场合。