MB87M1011是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。这款芯片采用先进的CMOS技术制造,具有高速读写能力、低功耗和高可靠性,适用于需要高性能存储解决方案的工业、通信和计算设备。MB87M1011的容量为128K x 8位,即1Mbit,工作电压为3.3V,适用于嵌入式系统、网络设备和数据缓冲应用。
容量:128K x 8位(1Mbit)
电压:3.3V
访问时间:10ns
封装类型:52引脚TSOP
工作温度范围:工业级(-40°C至+85°C)
接口类型:异步SRAM
功耗:典型值为100mA(待机模式下低于10mA)
MB87M1011具有高速访问时间,可达10ns,满足对实时数据存储和访问要求高的应用场景。
该芯片采用低功耗CMOS技术,在保证高性能的同时实现节能,适合对功耗敏感的便携式设备和嵌入式系统。
其封装形式为52引脚TSOP,体积小且易于集成到紧凑的PCB布局中,适用于高密度电路设计。
MB87M1011支持工业级工作温度范围(-40°C至+85°C),具备良好的环境适应性和稳定性,适合在恶劣工业环境中使用。
此外,该芯片提供异步接口,与多种微控制器和主控芯片兼容,便于开发和集成。
MB87M1011广泛应用于网络设备、通信模块、嵌入式控制系统、工业自动化设备和测试仪器等场景。
例如,在网络交换设备中,它可以作为高速缓存用于临时存储数据包,提高数据转发效率。
在工业控制设备中,该SRAM芯片可用于存储程序运行时的临时数据或缓冲采集到的传感器信息。
此外,它也适用于图像处理设备、打印机缓冲存储以及实时控制系统中的高速数据存储需求。
由于其低功耗和高可靠性,MB87M1011也常用于便携式医疗设备、智能电表和无线通信模块等产品中。
IS61LV10248ALLB4A、CY62148E、IDT71V416S