时间：2025/8/8 17:49:17
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MB87L4261是一种由富士通（Fujitsu）公司生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速、低功耗的存储器件，广泛应用于需要快速数据存取的电子系统中。MB87L4261采用CMOS技术制造，具有较高的稳定性和可靠性，适合工业级和商业级应用环境。该芯片的存储容量为16K x 4位，即总共存储64K位的数据。
存储容量：16K x 4位
电源电压：3.3V至5.5V
访问时间：10ns（最大）
工作温度范围：-40°C至+85°C（工业级）
封装类型：TSOP、SOJ
输入/输出电压兼容性：TTL和CMOS兼容
功耗：典型值为50mA（待机模式下功耗更低）
MB87L4261具有多项显著的性能特点，使其适用于多种高速存储应用场合。首先，该芯片的访问时间仅为10ns，能够满足高速数据处理的需求，适用于高速缓存、数据缓冲等场景。其次，MB87L4261采用低功耗CMOS工艺，在保证高速性能的同时实现了较低的功耗，适合对功耗有严格要求的应用。此外，该芯片支持宽电压范围（3.3V至5.5V），增强了其在不同系统中的适应性。MB87L4261还具备TTL和CMOS兼容的输入/输出接口，便于与各种数字电路连接。工业级的工作温度范围（-40°C至+85°C）使其能够在较为恶劣的环境中稳定运行。最后，该芯片采用TSOP和SOJ封装形式，节省空间，适合高密度PCB布局。
在可靠性方面，MB87L4261具备良好的抗干扰能力，能够在复杂电磁环境中保持稳定工作。其内部结构采用先进的CMOS设计，降低了静态电流，提高了芯片的长期运行稳定性。此外，该芯片具备自动省电模式，当未被访问时可自动进入低功耗状态，从而进一步延长系统电池寿命，特别适合便携式设备和嵌入式系统使用。
MB87L4261广泛应用于需要高速存储和低功耗特性的电子系统中。典型应用包括网络设备、通信模块、工业控制设备、嵌入式系统、数据采集设备以及测试测量仪器等。由于其高速访问能力和宽电压适应性，该芯片常用于需要频繁读写操作的场景，如高速缓存、数据缓冲器、图像处理模块等。此外，MB87L4261也适用于需要长时间稳定运行的工业自动化系统和车载电子设备。
Cypress CY62148, ISSI IS61LV25616
