容量：4Mbit（512K x 8）
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：55ns
　　封装类型：TSOP（Thin Small Outline Package）
　　引脚数：54
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　数据保持电压：1.5V
　　封装尺寸：18mm x 20mm
　　最大工作电流：150mA（典型值）
　　待机电流：10mA（典型值）

MB87J4440PMT-G-BND 是一款高性能异步SRAM芯片，其主要特性包括高速访问时间和宽电压工作范围。芯片的访问时间为55ns，使其能够满足对数据存取速度要求较高的应用需求。其电源电压范围为2.3V至3.6V，支持多种电源配置，增强了其在不同系统中的兼容性。此外，该芯片在数据保持模式下的电压可低至1.5V，从而在低功耗状态下仍能保持数据完整性，适用于需要长时间数据保持的场景。
　　该芯片采用TSOP封装，具有54个引脚，适用于高密度PCB布局，并且其工作温度范围为-40°C至+85°C，确保了在恶劣环境条件下的稳定运行。封装尺寸为18mm x 20mm，便于集成到紧凑型设计中。
　　在功耗方面，MB87J4440PMT-G-BND的最大工作电流为150mA，待机电流仅为10mA，有助于降低系统整体功耗，适用于对能效要求较高的嵌入式系统和便携式设备。

MB87J4440PMT-G-BND 广泛应用于多个高性能计算和嵌入式系统领域。常见的应用包括工业控制设备、网络交换机、路由器、通信模块、测试测量设备以及医疗电子设备。由于其高速存取能力和良好的温度适应性，它特别适合用于需要快速数据缓存和临时存储的场合，如图像处理、数据缓冲和高速缓存存储。此外，该芯片也可用于嵌入式系统的固件存储和运行时数据存储，提供可靠的存储解决方案。

MB87J4440PMT-G-BND的替代型号包括ISSI的IS61LV5128ALB45BLL和Cypress的CY62148E。这些型号在容量、封装和性能方面与MB87J4440PMT-G-BND相似，可在大多数应用中作为替代选择。