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MB87F2640 发布时间 时间:2025/8/9 13:36:58 查看 阅读:38

MB87F2640 是富士通(Fujitsu)公司推出的一款高性能静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于其MB87系列的高速SRAM产品。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,具有低功耗、高速存取、高可靠性的特点,广泛应用于通信设备、工业控制、网络设备以及嵌入式系统等领域。MB87F2640 的存储容量为16Mbit(2M x 8),支持异步操作,适合需要高速数据访问的场景。

参数

容量:16Mbit (2M x 8)
  组织结构:x8
  电源电压:3.3V
  访问时间(tRC):55ns/70ns 可选
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:TSOP、FBGA
  接口类型:异步
  最大工作频率:约18MHz(对应55ns访问时间)
  功耗:典型值为100mA(待机模式下低至10mA)

特性

MB87F2640 SRAM芯片具有多项出色的性能特性。首先,其高速访问时间为55ns或70ns,支持高达18MHz的工作频率,适用于对数据读写速度要求较高的应用。其次,芯片采用低功耗CMOS技术,在正常工作模式下功耗较低,在待机模式下电流可降至10mA以下,非常适合需要节能设计的系统。
  此外,MB87F2640具备宽温度范围(-40°C至+85°C),确保其在恶劣工业环境中的稳定运行。封装形式包括TSOP和FBGA,便于在不同PCB设计中灵活使用,适应高密度布线需求。
  该芯片还具有高抗干扰能力和良好的数据保持性能,即使在复杂电磁环境中也能保持数据完整性。其异步接口兼容多种主控器,简化了系统设计和集成过程。

应用

MB87F2640 主要应用于需要高速、低功耗、高可靠性的存储系统。常见使用场景包括网络设备(如路由器、交换机)的缓存存储、工业自动化控制器的临时数据存储、测试测量设备的高速数据缓冲、通信模块的数据中转存储等。
  在嵌入式系统中,MB87F2640可作为主控芯片的外部高速缓存,用于提升系统响应速度和数据处理能力。其宽温特性和封装多样性也使其适用于车载电子、安防监控、智能仪表等对环境适应性要求较高的领域。

替代型号

ISSI IS61WV10248BLL-10BLLI、Cypress CY62148EVLL、Renesas IDT71V416S、Alliance Memory AS6C1008-55PCN

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