型号：MB87F116RB-G
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：FRAM（铁电存储器）
　　组织结构：128K × 8位
　　总容量：1 Mbit
　　接口类型：并行接口
　　工作电压：3.0V 至 3.6V
　　最大访问时间：70ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装形式：44-pin TSOP Type II
　　写入耐久性：10^14 次/字节
　　数据保持时间：10年（最小），典型可达95年
　　待机电流：150μA（典型值）
　　工作电流：15mA（典型值，f=1MHz）
　　写保护功能：硬件WP引脚支持
　　片选信号：CE、OE、WE控制
　　无铅/环保状态：符合RoHS标准

MB87F116RB-G的核心优势在于其采用的铁电存储技术，这种技术利用铁电材料的极化状态来存储数据，即使在电源关闭后仍能保持信息不丢失。与传统的EEPROM或Flash不同，FRAM无需长时间的写入周期和高电压编程过程，因此实现了接近SRAM级别的写入速度，通常在微秒级别完成单字节写入操作，显著提升了系统的响应能力和实时性能。该芯片具备近乎无限的写入耐久性，标称可承受10^14次读写操作，远远超过普通EEPROM的10万至百万次限制，使其特别适合频繁记录传感器数据、日志文件或配置参数的应用场景。
　　在功耗方面，MB87F116RB-G表现出色。由于其写入机制不需要升压电路或大电流脉冲，因此在写入过程中消耗的能量极低，有助于延长电池供电设备的工作寿命。同时，在待机模式下，芯片的静态电流仅为150μA左右，进一步优化了整体能耗表现。该器件还内置了硬件写保护功能，通过WP引脚可防止意外写入或数据篡改，增强系统的数据完整性与安全性。
　　MB87F116RB-G支持全地址空间随机访问，每个存储单元均可独立寻址和修改，无需像Flash那样进行块擦除操作，极大简化了软件设计复杂度。此外，该芯片具备出色的抗辐射和抗电磁干扰能力，适用于工业自动化、汽车电子等严苛环境。其封装符合JEDEC标准，便于自动化生产中的贴片与焊接，提升了制造效率和产品一致性。综合来看，MB87F116RB-G是一款高性能、高可靠性的非易失性存储解决方案，适用于对数据写入速度、耐久性和稳定性有严格要求的嵌入式系统。

MB87F116RB-G广泛应用于多个对数据记录性能和可靠性要求较高的领域。在工业控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和传感器节点，用于实时保存运行参数、校准数据和故障日志，确保在突发断电时关键信息不会丢失。在医疗设备领域，如病人监护仪、便携式诊断仪器和植入式设备中，该芯片可用于存储患者数据、设备设置和事件记录，因其高耐久性和低功耗特性，非常适合需要频繁写入且依赖电池供电的场合。
　　在汽车电子系统中，MB87F116RB-G可用于车身控制模块（BCM）、发动机控制单元（ECU）以及车载信息娱乐系统，用于存储里程信息、驾驶习惯配置、安全事件记录等，其宽温特性和高可靠性满足汽车行业严格的环境测试标准。通信设备如基站控制器、网络交换机和路由器也采用此类FRAM芯片来缓存配置信息和操作日志，避免因频繁写入导致的传统存储器寿命衰减问题。
　　此外，在智能仪表（如电表、水表、气表）中，MB87F116RB-G能够高效记录用量数据和抄表时间戳，支持每日多次写入而无需担心存储器磨损。金融终端设备如POS机、ATM和智能卡读写器也利用其快速写入和数据非易失特性，确保交易记录即时持久化，提升系统安全等级。科研仪器、航空航天电子系统以及军事装备同样受益于其高抗干扰能力和长期数据保持性能，成为替代传统NVRAM的理想选择。

CY15B104QSN,CY15B108QN,FM24V10,FM24V05