MB87D210 时间：2025/10/30 18:49:50 阅读：21

MB87D210是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该器件属于低功耗、高速度的异步SRAM产品系列，广泛应用于需要快速数据访问和稳定存储性能的嵌入式系统与通信设备中。MB87D210的存储容量为256K位（32K × 8位），采用标准的并行接口设计，支持通用微处理器系统的无缝连接。其工作电压为3.3V，符合现代低电压系统的设计需求，在保证高性能的同时有效降低功耗。该芯片采用先进的CMOS工艺制造，具备高噪声 immunity 和良好的热稳定性，适用于工业级温度范围（-40°C 至 +85°C），因此在恶劣环境下的可靠性表现优异。MB87D210常用于网络设备、打印机、传真机、工业控制模块以及消费类电子产品中作为数据缓存或程序存储单元。此外，该器件封装形式通常为44-pin SOP或TSOP，便于在高密度PCB布局中使用，并支持表面贴装工艺，提升了自动化生产效率。由于其成熟的设计和稳定的供货历史，MB87D210在许多 legacy 系统中仍具有重要地位。

参数

型号：MB87D210
　　存储容量：256 Kbit (32K × 8)
　　电源电压：3.3V ± 0.3V
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：44-pin SOP / TSOP
　　访问时间：55ns / 70ns / 85ns（根据速度等级）
　　工作模式：异步SRAM
　　输入/输出逻辑电平：TTL兼容
　　最大静态电流：≤ 4μA（待机模式）
　　最大动态电流：≤ 40mA（典型操作下）
　　写使能信号：WE#
　　输出使能信号：OE#
　　片选信号：CE#
　　数据总线宽度：8位
　　地址总线宽度：15位（A0-A14）

特性

MB87D210采用高性能CMOS技术，实现了在保持低功耗的同时提供快速的数据访问能力。其访问时间有多种版本可供选择，包括55ns、70ns和85ns，满足不同性能需求的应用场景。这种灵活性使得设计工程师可以根据系统时钟速度和成本目标选择最合适的型号变体。芯片内部结构优化了地址解码和读写路径，减少了信号延迟，从而提升了整体响应速度。
　　该器件具备完整的片选（CE#）、写使能（WE#）和输出使能（OE#）控制逻辑，支持多芯片扩展配置，可在复杂系统中实现存储空间的灵活扩展。所有输入端都带有施密特触发器设计，增强了对噪声的抵抗能力，提高了信号完整性，特别适合在电磁干扰较强的工业环境中运行。
　　在功耗管理方面，MB87D210支持两种低功耗模式：待机模式和自动低功耗模式。当片选信号CE#为高电平时，芯片进入待机状态，此时静态电流极低，可显著延长电池供电系统的续航时间。这一特性使其非常适合便携式设备或远程监控终端等对能耗敏感的应用。
　　此外，MB87D210的所有直流和交流参数均经过严格测试，并符合JEDEC标准规范，确保与其他通用SRAM器件的兼容性。其引脚排列遵循行业惯例，便于PCB布线和替换升级。制造过程中采用了高可靠性的封装工艺，确保在高温、高湿及振动环境下长期稳定工作。这些综合特性使MB87D210成为众多嵌入式系统中值得信赖的存储解决方案。

应用

MB87D210被广泛应用于各种需要高速、可靠、低功耗存储功能的电子系统中。在通信领域，它常用于路由器、交换机和DSL调制解调器中作为数据包缓冲区，利用其快速读写能力提高网络吞吐效率。在办公自动化设备如激光打印机、多功能一体机中，该芯片用于暂存打印图像数据或字体信息，保障打印任务的流畅执行。
　　在工业控制系统中，MB87D210可用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和数据采集模块，作为实时变量存储区，支持快速响应现场信号变化。其宽温工作能力和抗干扰设计使其能在工厂车间等严苛环境中长期稳定运行。
　　此外，在医疗设备、测试仪器和POS终端等消费类与商用电子产品中，MB87D210也发挥着重要作用。例如，在便携式诊断设备中，它可以临时保存患者测量数据，直到数据被传输到主机系统进行分析。在音频视频设备中，可用于帧缓冲或命令队列存储。
　　由于其成熟的供应链和技术支持，即使在新型低功耗DRAM或PSRAM不断涌现的背景下，MB87D210仍在许多传统设计和维护项目中持续使用，尤其适用于无法采用动态刷新机制或需要确定性访问延迟的场合。