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MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 发布时间 时间:2025/6/28 11:17:44 查看 阅读:11

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 是一款基于 FRAM(铁电随机存取存储器)技术的存储芯片,由富士通半导体(现为索喜科技)生产。FRAM 技术结合了 RAM 的高速读写和闪存的非易失性特点,使得该芯片能够在断电后保存数据,并且具有极高的读写耐久性和低功耗特性。
  这款芯片通常用于需要频繁数据记录、实时数据存储以及对可靠性和速度要求较高的应用环境。

参数

容量:2Mb
  接口:SPI
  工作电压:1.7V 至 3.6V
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:SOP
  数据保留时间:超过10年
  读写耐久性:10^12 次

特性

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 芯片的主要特点是其采用了 FRAM 技术,这使其在性能上具备显著优势。首先,它支持几乎无限次的读写操作,非常适合频繁更新数据的应用场景,例如工业设备的状态监控或医疗仪器的数据记录。
  其次,该芯片具有非常低的功耗,在写入数据时无需额外的高电流供应,这使其成为电池供电设备的理想选择。
  此外,由于其非易失性,即使在突然断电的情况下也能保证数据的安全性和完整性。FRAM 技术还提供了比传统 EEPROM 或闪存更快的写入速度,从而提升了整体系统的响应能力。
  最后,该芯片的工作温度范围宽广,能够在极端环境下稳定运行,适用于户外或工业环境中。

应用

MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1 主要应用于需要高可靠性、低功耗和快速数据记录的场合。具体包括但不限于以下领域:
  1. 工业自动化:用于记录传感器数据、机器状态监控等。
  2. 医疗设备:如便携式健康监测仪,需要实时存储患者数据。
  3. 消费电子:智能家居设备中的配置数据存储。
  4. 物联网 (IoT):适用于远程节点设备,这些设备通常依靠电池供电并需要长时间运行。
  5. 计量仪表:如智能电表,记录用电信息并确保断电后数据不丢失。
  6. 汽车电子:如行车记录仪或黑匣子系统,用于存储关键驾驶数据。

替代型号

MB85RS2MT-YUC-F, MB85RS2MTA

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MB85RS2MTAPNF-G-BDERE1参数

  • 现有数量24,086现货
  • 价格1 : ¥52.55000剪切带(CT)1,500 : ¥37.47011卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)剪切带(CT)Digi-Reel? 得捷定制卷带
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式FRAM
  • 技术FRAM(铁电体 RAM)
  • 存储容量2Mb
  • 存储器组织256K x 8
  • 存储器接口SPI
  • 时钟频率40 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间-
  • 电压 - 供电1.8V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
  • 供应商器件封装8-SOP