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MB85RC16PN-G-AMERE1 发布时间 时间:2025/9/23 13:53:18 查看 阅读:8

MB85RC16PN-G-AMERE1是一款由Fujitsu(富士通)推出的铁电随机存取存储器(FRAM)芯片,属于其先进的非易失性存储器产品线。该器件结合了传统RAM的高速读写能力与非易失性存储器的数据保持特性,能够在断电后依然保留存储的信息,而无需备用电源。这款芯片采用I2C串行通信接口,具备16 Kbit的存储容量,组织形式为2048字节(2 KB),即2048 x 8位。由于其底层使用铁电电容作为存储介质,而非传统的浮栅技术(如EEPROM或Flash),MB85RC16PN-G-AMERE1在写入耐久性方面表现卓越,可支持高达10^14次的读/写操作,远超同类非易失性存储器,使其特别适用于需要频繁写入数据的应用场景。该器件的工作电压范围为2.7V至3.6V,适合工业级应用环境,工作温度范围通常为-40°C至+85°C,确保在恶劣条件下仍能稳定运行。封装形式为8引脚SOP(Small Outline Package),便于在空间受限的PCB设计中集成。此外,该芯片内置数据保持电路,无需外部干预即可长期保存数据(典型值可达10年),并具备抗辐射和高可靠性特点,广泛应用于工业控制、医疗设备、智能仪表和高可靠性嵌入式系统中。

参数

型号:MB85RC16PN-G-AMERE1
  制造商:Fujitsu
  存储类型:非易失性FRAM
  存储容量:16 Kbit (2 K x 8)
  接口类型:I2C(标准/快速/快速Plus模式,最高支持1 Mbps)
  工作电压:2.7V ~ 3.6V
  工作电流:读写时典型值约150 μA(低功耗特性)
  待机电流:典型值小于10 μA
  写入耐久性:10^14 次读/写周期
  数据保持时间:最大10年(在+85°C环境下)
  工作温度范围:-40°C 至 +85°C
  封装类型:8-SOP(Small Outline Package)
  写入周期时间:无延迟写入(即时完成,无需等待时序)
  页面大小:32字节(I2C页面写入限制)
  地址宽度:11位(支持2048个地址位置)
  I2C地址:可配置通过A0-A2引脚设置,支持多个设备共用总线

特性

MB85RC16PN-G-AMERE1的核心优势在于其采用的铁电存储技术(Ferroelectric Random Access Memory, FRAM),这种技术利用具有永久电极化的铁电材料作为存储介质,在写入数据时通过施加电场改变极化方向来表示逻辑状态。与传统的EEPROM或Flash不同,FRAM在写入过程中不需要高电压编程或擦除周期,因此实现了真正的“无延迟”写入操作。这意味着每次写入操作几乎瞬时完成,无需像其他非易失性存储器那样等待毫秒级的编程时间,极大提升了系统响应速度和数据吞吐效率。这一特性对于实时数据记录系统尤为重要,例如在电力监控、工业传感器网络或医疗监测设备中,当发生突发断电时,系统可以迅速将关键数据写入FRAM,避免信息丢失。
  另一个显著特点是其超高的写入耐久性,达到10^14次读/写周期,比标准EEPROM高出数百万倍。这使得MB85RC16PN-G-AMERE1非常适合用于频繁更新数据的应用,比如日志记录、计费系统、状态追踪等,传统存储器在这种场景下容易因寿命耗尽而失效。同时,该芯片具备出色的低功耗性能,无论是运行还是待机状态下都消耗极少电流,有助于延长电池供电设备的使用寿命。其I2C接口兼容性强,支持标准(100 kHz)、快速(400 kHz)和快速Plus(1 Mbps)模式,能够灵活适应不同主控MCU的通信需求,并允许在同一总线上连接多个从设备(通过地址引脚A0-A2配置)。此外,该器件具有优异的抗干扰能力和高可靠性,在高温、高湿或强电磁干扰环境中仍能稳定工作,符合工业级和汽车级应用要求。所有这些特性共同使MB85RC16PN-G-AMERE1成为高性能、高可靠非易失性存储解决方案的理想选择。

应用

MB85RC16PN-G-AMERE1因其独特的非易失性、高速写入和高耐久性,被广泛应用于对数据完整性与实时性要求较高的领域。在工业自动化控制系统中,常用于保存PLC参数、运行日志、故障代码和校准数据,即使突然断电也不会丢失关键信息。在智能电表、水表和燃气表等计量设备中,它可用于存储累计用量、事件记录和用户设置,确保计费数据准确可靠。医疗电子设备如监护仪、血糖仪和便携式诊断工具也依赖该芯片进行病人数据的实时缓存与持久化存储,保障患者信息的安全性与连续性。
  此外,在POS终端、条码扫描器和RFID读写器等人机交互设备中,MB85RC16PN-G-AMERE1可用于保存交易记录、设备配置和安全密钥,提升系统响应速度和用户体验。车载电子系统如T-Box、OBD-II诊断模块和车载黑匣子同样适用,能够在车辆熄火时快速保存行驶数据、故障码和定位信息。在物联网节点和无线传感器网络中,该芯片帮助实现低功耗下的高频数据采集与本地存储,尤其适合边缘计算场景。科研仪器、测试测量设备以及航空航天电子系统也采用此类高可靠性FRAM芯片,以满足严苛环境下的长期稳定运行需求。总之,凡是对写入速度、耐久性和数据安全性有较高要求的应用场合,MB85RC16PN-G-AMERE1都是一个极具竞争力的存储解决方案。

替代型号

Cypress CY15B104QN,Cypress CY15B108QN,Ramtron FM24V05,Fujitsu MB85RC256VN-G-BNJT-D

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MB85RC16PN-G-AMERE1参数

  • 现有数量0现货查看交期
  • 价格1,500 : ¥7.31386卷带(TR)
  • 系列-
  • 包装卷带(TR)
  • 产品状态在售
  • 存储器类型非易失
  • 存储器格式FRAM
  • 技术FRAM(铁电体 RAM)
  • 存储容量16Kb
  • 存储器组织2K x 8
  • 存储器接口I2C
  • 时钟频率1 MHz
  • 写周期时间 - 字,页-
  • 访问时间550 ns
  • 电压 - 供电2.7V ~ 3.6V
  • 工作温度-40°C ~ 85°C(TA)
  • 安装类型表面贴装型
  • 封装/外壳8-WFDFN 裸露焊盘
  • 供应商器件封装8-SON(2x3)