时间：2025/9/23 14:42:52
阅读：9
MB85RC128APNF-G-JNERE1是一款由富士通（Fujitsu）推出的基于I2C接口的铁电随机存取存储器（FRAM）芯片。该器件具有128 Kbit（即16 K × 8位）的存储容量，采用先进的铁电技术，结合了传统RAM的高速读写能力和非易失性存储器的数据保持特性。与常见的EEPROM或Flash存储器不同，FRAM无需写入等待时间，支持几乎无限次的读写操作，且功耗极低，特别适用于需要频繁写入数据并要求高可靠性的嵌入式系统应用。该芯片封装形式为8引脚SOP（Small Outline Package），符合工业级标准，工作温度范围广泛，适合在严苛环境下稳定运行。MB85RC128APNF-G-JNERE1兼容标准I2C通信协议，最高支持400 kHz的标准模式和3.4 MHz的高速模式，使其能够与多种微控制器无缝对接。此外，该器件内置写保护功能，可通过硬件引脚（WP）实现对存储区域的写入锁定，防止误操作导致数据损坏。由于其非易失性、高耐久性和快速写入能力，该芯片广泛应用于智能电表、工业控制系统、医疗设备、汽车电子以及物联网终端等需要长期保存关键数据的场景中。
品牌：Fujitsu
系列：MB85RC
存储类型：非易失性 FRAM
存储容量：128 Kbit
组织结构：16K × 8
接口类型：I2C
工作电压范围：2.7V 至 3.6V
最大时钟频率：400 kHz（标准模式），3.4 MHz（高速模式）
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装类型：8-SOP
引脚数：8
写保护引脚（WP）：有
设备地址：可配置（A0, A1, A2）
待机电流：典型值 10 μA
工作电流：典型值 150 μA
写入耐久性：10^14 次读/写周期
数据保持时间：10年（典型值）
MB85RC128APNF-G-JNERE1的核心优势在于其采用的铁电存储技术（Ferroelectric Random Access Memory, FRAM），这种技术利用铁电材料作为存储介质，在断电后仍能保持数据，同时具备类似SRAM的高速读写性能。与传统的EEPROM和Flash相比，FRAM不需要长时间的写入周期，消除了编程延迟问题，因此可以实现即时写入操作，极大地提升了系统的响应速度和效率。
该芯片支持高达10^14次的读写耐久性，远超EEPROM的10^5~10^6次和Flash的10^4~10^5次，这意味着它可以在高频数据采集和记录的应用中长期使用而不会出现存储单元老化或失效的问题。这一特性使其非常适合用于日志记录、传感器数据缓存、事件追踪等需要频繁更新数据的场合。
在功耗方面，MB85RC128APNF-G-JNERE1表现出色。其工作电流仅为约150μA，待机电流低至10μA，有助于延长电池供电设备的使用寿命。由于写入过程无需高电压编程，能量消耗显著降低，进一步优化了整体能效表现。
该器件支持I2C总线接口，并兼容标准模式（400kHz）和高速模式（最高3.4MHz），允许用户在保证稳定性的同时提高数据传输速率。通过A0、A1、A2地址引脚的配置，最多可在同一总线上连接8个相同型号的FRAM芯片，便于扩展存储容量或实现多设备管理。
此外，芯片集成了硬件写保护功能，当WP引脚接地时，整个存储阵列处于只读状态，有效防止意外擦除或写入错误，增强了数据安全性。内置的上电复位电路确保在电源启动过程中自动进入安全状态，避免异常操作。
MB85RC128APNF-G-JNERE1因其高可靠性、非易失性和卓越的写入性能，被广泛应用于多个工业和技术领域。在智能计量设备中，如智能电表、水表和气表，该芯片用于存储用户用量数据、校准参数和事件日志，即使在突然断电的情况下也能确保数据不丢失。
在工业自动化控制系统中，常用于PLC（可编程逻辑控制器）、远程I/O模块和HMI（人机界面）设备中，作为配置参数、运行状态和故障记录的存储介质，满足工业现场对数据完整性和持久性的严格要求。
医疗电子设备，例如便携式监护仪、血糖仪和输液泵，依赖该芯片保存患者信息、操作记录和设备设置，确保在更换电池或关机后关键信息依然可用。
汽车电子系统中，可用于车载黑匣子（EDR）、胎压监测系统（TPMS）和车身控制模块，记录行驶数据和诊断信息，支持长时间可靠存储。
在物联网（IoT）终端节点和无线传感器网络中，由于其低功耗和快速写入特性，适合用于边缘侧的数据暂存和上报缓冲，提升系统整体效率。
此外，该芯片也常见于POS终端、打印机、复印机等办公设备中，用于保存交易记录、打印计数和用户偏好设置。
Rohm BR25H128FJ-3CE2
