时间：2025/12/25 6:20:02
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MB85R256HPFTN是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的256K位（32K x 8）高速非易失性FRAM（铁电随机存取存储器）芯片。与传统的EEPROM或Flash存储器相比，FRAM具有更快的写入速度、更低的功耗以及更高的读写耐久性。MB85R256HPFTN支持高速SPI接口，广泛应用于需要频繁写入和高可靠性的工业控制、智能电表、数据记录器等嵌入式系统中。
容量：256 Kbit（32 KB）
接口类型：SPI（最大时钟频率为20 MHz）
电源电压：2.7V 至 3.6V
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
封装形式：8引脚 TSSOP
读写耐久性：10^12 次/位
数据保持时间：10年（无需电源）
封装尺寸：4.4mm x 3.0mm x 1.0mm
封装类型：表面贴装（SMD）
MB85R256HPFTN采用了先进的FRAM技术，具备卓越的读写性能和耐久性。其写入速度比传统的EEPROM快数百倍，且无需等待时间（NoDelay? Write）。该芯片具有极低的功耗，适用于电池供电设备和对能耗敏感的应用。此外，FRAM技术避免了Flash或EEPROM所需的块擦除操作，从而提高了系统效率和可靠性。MB85R256HPFTN还具备较强的抗辐射能力，适合在复杂电磁环境中使用。该芯片通过了工业级温度范围的验证，确保在各种恶劣条件下稳定运行。
MB85R256HPFTN广泛应用于智能电表、工业自动化设备、医疗监测仪器、安防系统、POS终端、数据采集系统以及高可靠性工业控制系统等需要频繁写入、高速存取和低功耗特性的场合。
MB85R256AFPN-G-BND（富士通）、FM25V05-G（Ramtron/Cypress）、CYFRAM-256KSPI（Cypress）、IS66WVH256M8FFBLL（ISSI）
