时间：2025/9/22 16:33:08
阅读：14
MB84VD21083EA-85PBS-G是一款由Fujitsu（富士通）公司生产的高性能、低功耗的128Mbit（16MB）PSRAM（Pseudo Static RAM，伪静态随机存取存储器）芯片。该器件采用先进的制造工艺，结合了DRAM的高密度存储优势与SRAM的易用接口特性，为嵌入式系统和移动设备提供了一种兼具大容量和高速访问能力的内存解决方案。该芯片广泛应用于需要中等至大容量内存且对功耗敏感的便携式电子产品中，如智能手机、平板电脑、数码相机、多媒体播放器以及工业控制设备等。MB84VD21083EA-85PBS-G支持1.8V单电源供电，符合现代低电压系统的设计需求，有助于降低整体系统功耗并提升能效。该器件封装形式为60-ball FBGA（Fine Pitch Ball Grid Array），具有较小的封装尺寸，适合高密度PCB布局，满足紧凑型终端产品的空间要求。其工作温度范围通常为工业级标准（-40°C至+85°C），确保在各种环境条件下稳定运行。该芯片通过标准的x16位数据总线接口进行通信，兼容类似SRAM的操作时序，简化了系统设计和软件开发过程，无需复杂的刷新电路管理，极大降低了使用难度。
型号：MB84VD21083EA-85PBS-G
制造商：Fujitsu
存储类型：PSRAM（Pseudo SRAM）
存储容量：128 Mbit (8M x 16)
电源电压：1.7V ~ 1.95V（典型值1.8V）
最大时钟频率：85 MHz
访问时间：8.5 ns
工作温度范围：-40°C 至 +85°C
存储温度范围：-65°C 至 +150°C
封装类型：60-ball FBGA (8mm x 13mm)
引脚间距：0.8 mm
数据总线宽度：16位
刷新机制：内部自动刷新
输入/输出电平：LVTTL兼容
功耗模式：支持低功耗待机模式
封装环保性：符合RoHS指令，无铅（Pb-free）
MB84VD21083EA-85PBS-G的核心特性在于其将动态存储单元与静态接口逻辑集成于单一芯片内，实现了高密度与易用性的完美结合。其内部结构基于DRAM技术，具备更高的存储密度和更低的单位比特成本，同时外部接口则模拟标准异步SRAM的行为，支持地址线与数据线复用或独立配置模式，允许系统以类似于SRAM的方式进行读写操作，无需主控处理器具备专用的DRAM控制器，显著降低了系统架构的复杂度。该芯片内置自刷新（Self-refresh）和电源管理模式，在待机或低负载状态下可自动进入低功耗状态，有效延长电池寿命，特别适用于移动和便携式设备。
该器件具备出色的读写性能，支持突发访问模式，能够连续读取或写入多个数据字，提高数据吞吐效率。其85MHz的工作频率和8.5ns的快速访问时间确保了在多媒体处理、图像缓存和实时数据采集等高带宽应用场景下的流畅运行。此外，芯片内部集成了刷新控制电路，自动管理DRAM单元的电荷保持需求，用户无需干预刷新周期的调度，避免了传统DRAM使用中的复杂时序控制问题。
MB84VD21083EA-85PBS-G还具备良好的抗干扰能力和稳定性，支持掉电保护模式，在电源异常时可维持数据完整性一段时间。其FBGA封装不仅节省空间，还提供了优良的散热性能和电气连接可靠性，适合自动化贴片生产流程。整体设计兼顾高性能、低功耗、小体积和高可靠性，是替代传统SRAM或简化DRAM应用的理想选择。
MB84VD21083EA-85PBS-G广泛应用于各类需要中等容量、高速响应和低功耗特性的电子系统中。在消费类电子产品领域，它常用于智能手机和平板电脑中作为应用处理器的辅助缓存或图形帧缓冲存储器，支持高清图像和视频的实时处理与显示。在数码相机和摄像设备中，该芯片可用于临时存储拍摄过程中产生的大量图像数据，实现快速连拍和视频录制功能。此外，在便携式多媒体播放器中，PSRAM可作为音频解码缓冲区或用户界面图形加速的内存资源，提升用户体验。
在工业控制和嵌入式系统中，该芯片适用于人机界面（HMI）、工业显示器、POS终端和条码扫描设备等，提供足够的内存空间用于存储屏幕内容、程序变量或通信缓冲区。其宽温工作能力和高可靠性使其能够在恶劣工业环境中长期稳定运行。在物联网（IoT）设备和智能穿戴产品中，由于其低功耗特性，非常适合用于间歇性工作的传感器节点或可穿戴健康监测设备的数据暂存模块。
此外，该器件也可用于网络通信设备中的协议处理缓冲、打印机和多功能一体机中的页面渲染缓存，以及汽车信息娱乐系统中的图形处理支持。由于其接口简单、无需刷新管理，特别适合由微控制器（MCU）直接驱动的应用场景，减少了对外部存储控制器的依赖，从而降低了整体系统成本和设计复杂度。
IS45S16400J-70BLI
IS46T16V16B-8BLI
AS4C16M16SA-8BIN
