时间：2025/8/8 18:44:00
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MB84VD21081EM-70PBS-GE1 是富士通（Fujitsu）生产的一款高性能异步静态随机存取存储器（SRAM）。这款SRAM芯片采用了先进的CMOS技术，具有高速访问时间和低功耗特性，适用于各种需要高性能存储器的嵌入式系统和工业控制应用。
容量：256K x 16位
电压：3.3V
访问时间：70ns
封装类型：TSOP
工作温度范围：-40°C至+85°C
数据输入/输出：16位
最大工作频率：约14.28MHz（基于70ns访问时间）
封装引脚数：54引脚
MB84VD21081EM-70PBS-GE1 采用了先进的CMOS制造工艺，确保了低功耗和高稳定性。其70ns的访问时间使其能够满足高速数据存取的需求，适用于通信设备、工业控制、消费电子等对性能和可靠性有较高要求的应用场景。该芯片的TSOP封装设计有助于减小PCB板的空间占用，同时保持良好的电气性能和散热能力。此外，该SRAM支持异步操作，不需要时钟同步信号，简化了系统设计并提高了灵活性。
在可靠性方面，MB84VD21081EM-70PBS-GE1 设计有宽温度范围（-40°C至+85°C），适合在恶劣的工业环境中使用。该芯片还具有良好的抗干扰能力和较长的数据保持时间，即使在频繁读写操作下也能保证数据的完整性。
该SRAM芯片广泛应用于嵌入式系统、工业自动化设备、网络通信设备、测量仪器以及便携式电子产品中。由于其高性能和低功耗特性，它也非常适合用作高速缓存或临时数据存储单元。
MB84VD21081EM-70PBS-GE1的替代型号包括MB84VD21081EM-10PBS-GE1（更快的访问时间）和ISSI的IS61LV25616-70BLL等兼容型号。
