容量：256Kbit
　　组织方式：32K x 8
　　电源电压：2.3V 至 3.6V
　　访问时间：10ns
　　工作温度范围：-40°C 至 +85°C
　　封装类型：TSOP
　　引脚数：52
　　最大工作频率：100MHz
　　输入/输出电平：TTL兼容
　　功耗（典型值）：150mA

MB84VA2004-10PB-G-具有多个显著特性，使其适用于各种高性能应用。首先，它的高速访问时间为10ns，这使得该芯片能够满足需要快速数据存取的应用需求，例如高速缓存或实时数据处理系统。其次，该SRAM芯片的工作电压范围较宽，为2.3V至3.6V，这使得它能够在不同的电源条件下稳定运行，增强了其在不同系统中的兼容性。此外，其TTL兼容的输入/输出电平确保了与许多标准数字电路的无缝集成。
　　MB84VA2004-10PB-G-采用TSOP封装形式，这种封装方式不仅体积小，还具有良好的热性能和电气性能，适合高密度PCB布局。其工作温度范围为-40°C至+85°C，符合工业级温度标准，确保了在各种环境条件下的可靠运行。对于需要长期稳定工作的设备来说，这种温度适应能力尤为重要。
　　此外，该芯片的功耗相对较低，典型值为150mA，这在功耗敏感的应用中是一个显著优势。低功耗设计有助于减少设备的整体能耗，延长电池供电设备的使用时间，并降低散热需求，从而提高系统的可靠性和效率。

MB84VA2004-10PB-G-广泛应用于需要高速数据处理和高可靠性的电子系统中。它常用于工业自动化控制系统，作为临时数据存储器，以提高系统的响应速度和处理能力。此外，该芯片也适用于通信设备，如路由器和交换机，其中高速缓存对于快速转发数据包至关重要。在嵌入式系统中，MB84VA2004-10PB-G-可以作为主处理器的高速缓存或临时存储器，以提升系统性能和稳定性。由于其宽温度范围和高可靠性，该芯片也适用于汽车电子系统，如车载信息娱乐系统和驾驶辅助系统，确保在极端环境条件下依然能够正常运行。

MB84VA2004-10PBF-G-
　　IS61LV25616-10TLI
　　CY62148EVLL-45ZS
　　ISSI IS61LV256AL-10BSI