时间：2025/9/23 11:37:05
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MB8464C-10LL 是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的CMOS静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于低功耗、高速的异步SRAM产品系列。该器件采用先进的CMOS技术制造，具有高可靠性和稳定性，适用于需要快速数据存取和低功耗特性的嵌入式系统和工业控制设备。MB8464C-10LL 的容量为 8K x 8 位，即总共 65,536 位（8KB），访问时间最大为 10 纳秒，适合对响应速度要求较高的应用场景。该芯片工作电压为 5V ±10%，兼容标准TTL电平，便于与多种微处理器和控制器接口连接。封装形式为 28 引脚的贴片式 SOIC（Small Outline Integrated Circuit），有助于节省PCB空间并提升系统集成度。由于其出色的性能和可靠性，MB8464C-10LL 被广泛应用于通信设备、网络设备、测试仪器以及老式工业控制系统中。尽管随着技术的发展，新型低电压同步SRAM逐渐普及，但MB8464C-10LL 在一些特定领域仍具备不可替代的价值，尤其是在需要长生命周期支持和稳定供货的应用场合。
型号：MB8464C-10LL
制造商：Fujitsu
存储类型：异步SRAM
组织结构：8K x 8 位
存储容量：64 Kbit
访问时间：10 ns
工作电压：4.5V ~ 5.5V
输入/输出电平：TTL 兼容
工作温度范围：0°C 至 +70°C
封装类型：28-SOIC
引脚数：28
封装形式：表面贴装（SMD）
最大读取电流：25 mA
待机电流：2 mA（典型值）
写保护功能：支持
三态输出：是
芯片使能（CE）：有
输出使能（OE）：有
写使能（WE）：有
MB8464C-10LL 采用高性能CMOS工艺制造，确保了其在高速运行下的低功耗表现，同时具备良好的抗噪声能力和稳定性。其10ns的访问时间使其能够满足大多数高速微处理器系统的实时数据存取需求，尤其适用于需要频繁读写操作的缓冲区或暂存区域。
该器件支持完整的三总线控制逻辑，包括芯片使能（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE），允许精确控制读写操作，避免总线冲突，并可轻松连接到各种8位或16位微控制器和微处理器系统。当处于待机模式时，通过激活CE信号，芯片进入低功耗待机状态，显著降低系统整体能耗，延长电池供电设备的工作时间。
MB8464C-10LL 提供高可靠性的数据保持能力，在电源正常供应期间能够持续保存数据，无需刷新操作，简化了系统设计复杂度。此外，其TTL电平兼容性使得它可以无缝对接传统的逻辑电路和接口标准，无需额外的电平转换电路，降低了系统成本和设计难度。
该SRAM芯片还具备优异的抗干扰性能和宽温工作范围（商业级0°C至+70°C），能够在较为恶劣的电磁环境和温度变化条件下稳定运行。其28引脚SOIC封装符合工业标准，便于自动化贴片生产和维修更换，适合大规模批量应用。虽然该型号已逐步被更先进产品替代，但在某些老旧设备维护、军工、航天或长期服役项目中依然具有重要地位。
MB8464C-10LL 主要用于需要高速、低延迟数据存取的嵌入式系统和工业电子设备中。典型应用包括网络路由器、交换机等通信基础设施中的数据缓冲存储；测试与测量仪器中的临时数据采集缓存；工业PLC控制器中的程序变量存储；以及医疗设备、POS终端和老式打印机等消费类电子产品中的系统内存扩展。
在军事和航空航天领域，由于部分系统设计周期长、升级换代慢，MB8464C-10LL 因其成熟的技术和长期供货保障，仍被用于雷达信号处理单元、飞行控制系统和卫星通信模块中作为关键的数据暂存介质。
此外，该芯片也常见于一些专用计算机模块、数字信号处理器（DSP）子系统以及图像采集卡中，用于存储中间运算结果或帧缓冲数据。由于其非易失性虽不适用，但配合备用电池方案，也可实现短时间断电后的数据保留功能，适用于监控系统或黑匣子记录装置。
对于正在进行设备维护或备件替换的技术人员来说，MB8464C-10LL 是许多上世纪末至本世纪初设计的工业设备中常见的元器件之一，掌握其电气特性与接口方式对于故障诊断和系统恢复至关重要。
CY7C199-10JC
IS62C256-10L
AS6C62256-55SCN
