MB8464C-10L 时间：2025/9/23 13:32:28 阅读：9

MB8464C-10L是一款由富士通（Fujitsu）公司生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片，属于高速、低功耗的异步SRAM产品系列。该器件广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的嵌入式系统、通信设备、工业控制以及网络设备中。MB8464C-10L采用CMOS工艺制造，具备良好的噪声抑制能力和稳定性，适合在复杂电磁环境中稳定运行。该芯片封装形式为SOJ（Small Outline J-leaded Package），具有44引脚，便于在标准PCB上进行布局和焊接。作为一款经典的异步SRAM，MB8464C-10L无需时钟信号即可工作，通过地址线和控制信号（如片选CE、输出使能OE、写使能WE）实现对存储单元的读写操作，接口逻辑清晰，易于与微处理器或DSP等控制器对接。
　　该芯片的存储容量为32K x 8位，即总共256Kbit，能够满足中等规模数据缓存和临时存储的需求。访问时间典型值为10纳秒，表明其具备较高的数据读取速度，适用于对响应时间要求较高的实时系统。此外，MB8464C-10L支持商业级温度范围（0°C 至 +70°C），工作电压为5V ±10%，兼容TTL电平输入，能够在多种电源环境下稳定运行。尽管随着技术的发展，部分新型系统已转向同步SRAM或更先进的存储架构，但MB8464C-10L因其成熟的设计、可靠的性能和广泛的兼容性，在许多存量设备和工业升级项目中仍被持续使用。

参数

型号：MB8464C-10L
　　制造商：Fujitsu
　　存储类型：异步SRAM
　　组织结构：32K x 8位
　　容量：256 Kbit
　　访问时间：10 ns
　　工作电压：4.5V ~ 5.5V
　　温度范围：0°C 至 +70°C
　　封装类型：44-pin SOJ
　　接口类型：并行异步
　　输入电平：TTL兼容
　　写使能时间（tWC）：10 ns
　　数据保持电压：2.0V
　　待机电流：≤ 2 mA
　　工作电流：≤ 90 mA

特性

MB8464C-10L的核心特性之一是其高速访问能力，典型访问时间为10纳秒，使得该芯片在处理高频数据交换任务时表现出色。这种级别的响应速度使其非常适合用于需要频繁读写操作的应用场景，例如图像缓冲、通信帧缓存或实时控制系统中的中间数据暂存。由于采用先进的CMOS制造工艺，该器件在保持高性能的同时实现了较低的功耗水平。在待机模式下，电流消耗可低至2mA以下，显著降低了系统的整体能耗，延长了设备的使用寿命，尤其适用于长时间运行的工业自动化设备或远程通信节点。
　　另一个关键特性是其高可靠性与稳定性。MB8464C-10L经过严格的质量控制流程，并在设计上增强了抗干扰能力，能够在复杂的电磁环境中保持数据完整性。其TTL电平兼容的输入接口简化了与各种微控制器、DSP或其他逻辑电路的连接，减少了额外电平转换电路的需求，从而降低了系统设计复杂度和成本。此外，该芯片支持全静态操作，意味着只要供电正常，数据就能持续保持而无需刷新机制，这与DRAM不同，避免了因刷新周期导致的性能波动或延迟。
　　MB8464C-10L还具备出色的耐用性和长期供货保障。虽然富士通已逐步将业务重点转向其他存储解决方案，但该型号曾在市场上大量使用，并被多家第三方厂商以兼容形式生产或替代。其引脚定义和时序规范符合行业标准，方便替换和升级。同时，该芯片支持宽电压工作范围（4.5V~5.5V），增强了在电源波动环境下的适应能力，提高了系统鲁棒性。对于需要长期维护的老旧设备而言，MB8464C-10L及其兼容型号仍然是理想的选择。

应用

MB8464C-10L主要应用于各类需要高速、可靠数据存储的电子系统中。在通信领域，它常被用作路由器、交换机或基站设备中的帧缓冲器，用于临时存储待处理的数据包，确保信息传输的流畅性和低延迟。在工业控制方面，该芯片可用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）或运动控制卡中，作为程序运行时的临时变量存储区或状态寄存器，提升控制响应速度。
　　在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，MB8464C-10L可用于采集数据的高速缓存，配合ADC模块实现瞬态信号的捕捉与处理。此外，在医疗设备、航空航天地面支持系统以及军事通信终端中，由于其稳定性和抗干扰能力，也常被选用作为关键子系统的本地存储单元。
　　消费类电子产品的高端机型，尤其是早期的数字视频设备、打印机主控板和游戏机主板中，也曾广泛采用此类SRAM芯片来提升系统性能。尽管当前主流趋势是集成化和片上存储，但在分立式存储方案仍有需求的场合，MB8464C-10L凭借其成熟的技术和稳定的供货记录，依然发挥着重要作用。