MB8464A-80L是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的16K x 4位的高速静态随机存取存储器(SRAM),采用CMOS技术制造,具有低功耗和高性能的特点。该器件广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的工业、通信和网络设备中。MB8464A-80L的存储容量为64K位(即16,384个字,每个字4位),组织形式为16K x 4,适合用于缓存、数据缓冲、实时控制系统以及其他对读写速度要求较高的场合。该芯片采用5V电源供电,兼容TTL电平,能够与多种微处理器和控制器直接接口,无需额外的电平转换电路。封装形式为44引脚PLCC(Plastic Leaded Chip Carrier),便于表面贴装,适用于紧凑型PCB设计。MB8464A-80L的工作温度范围通常为商业级(0°C至+70°C),确保在常规工业环境下的稳定运行。由于其非易失性特性不适用,该SRAM在断电后不会保留数据,因此常与其他非易失性存储器配合使用以实现系统配置保存功能。
型号:MB8464A-80L
制造商:Fujitsu
存储容量:64 Kbit (16K x 4)
电源电压:5V ± 10%
访问时间:80 ns
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装类型:44-pin PLCC
接口类型:并行
输入/输出电平:TTL兼容
待机电流:典型值 5 mA
工作电流:典型值 80 mA
组织结构:16,384 words x 4 bits
刷新方式:无需刷新(SRAM)
写入周期时间:80 ns
读取周期时间:80 ns
MB8464A-80L作为一款高性能CMOS静态RAM,具备出色的读写响应能力,其80纳秒的访问时间使其能够在高频系统总线下稳定运行,满足大多数中高端嵌入式系统的性能需求。
该芯片采用先进的CMOS工艺制造,在保证高速操作的同时实现了较低的功耗水平,尤其在待机模式下电流消耗极小,有助于延长系统整体的能效表现,适用于对功耗敏感的应用场景。
所有输入端口均具备施密特触发器特性,增强了噪声抑制能力,提升了信号完整性,特别是在长线传输或电磁干扰较强的工业环境中表现出更高的稳定性与可靠性。
器件支持全静态操作,意味着只要供电正常,数据即可无限期保持,无需动态刷新机制,从而简化了系统设计并降低了CPU开销。
MB8464A-80L提供双向数据总线控制,通过OE(输出使能)、WE(写使能)和CE(片选)三个控制信号实现精确的读写时序管理,允许多个存储器共享同一总线系统,提升系统扩展性。
其44引脚PLCC封装不仅节省空间,还具备良好的散热性能和焊接可靠性,支持自动化贴片生产,适合大规模制造应用。
此外,该器件经过严格的质量测试,符合工业标准的电气和机械规范,具有高抗扰度和长期使用的耐久性,适用于通信交换设备、路由器、工业控制器、测试仪器等关键任务系统。
MB8464A-80L主要用于需要快速、可靠数据存储的电子系统中,常见于通信基础设施设备如路由器、交换机和基站控制器,用作数据缓冲区或临时存储单元,以提高信息处理效率。
在工业自动化领域,该SRAM被广泛集成于可编程逻辑控制器(PLC)、人机界面(HMI)和运动控制卡中,用于实时采集和暂存传感器数据、执行中间计算结果以及存储程序运行时变量。
此外,在测试与测量仪器中,例如数字示波器、频谱分析仪和逻辑分析仪,MB8464A-80L可用于高速采样数据的临时缓存,确保无丢失地记录瞬态信号。
它也适用于医疗设备中的图像处理模块、航空电子系统的飞行控制计算机以及POS终端的数据暂存区域,因其稳定的读写性能和高可靠性而受到青睐。
由于其TTL电平兼容性和简单的接口时序,该芯片还可作为微控制器或DSP系统的外部扩展内存,用于增强本地存储能力,尤其是在无法集成大容量片上RAM的老式或专用处理器平台上发挥重要作用。