MB84257A-10LL是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片,属于低功耗、高性能的CMOS SRAM产品系列。该器件采用先进的CMOS技术制造,具有高可靠性和稳定性,广泛应用于需要快速数据访问和临时数据存储的电子系统中。MB84257A-10LL的存储容量为32K x 8位,即总共262,144位,组织形式为32,768个地址,每个地址存储8位数据。该芯片支持并行接口,能够与多种微处理器和控制器无缝连接,适用于嵌入式系统、工业控制设备、网络通信设备以及测试测量仪器等场景。
该器件的工作电压为3.3V,符合低电压操作标准,有助于降低系统整体功耗,同时提升能效。其访问时间典型值为10纳秒,表明其具备极快的数据读取速度,适合对响应时间要求极高的应用场合。封装形式为44引脚TSOP(Thin Small Outline Package),具有较小的物理尺寸和良好的散热性能,便于在高密度PCB布局中使用。MB84257A-10LL还具备完整的片上地址锁存功能,简化了外部电路设计,并支持异步读写操作,增强了系统的灵活性。
型号:MB84257A-10LL
制造商:Fujitsu
存储容量:32K x 8位
组织结构:32,768 x 8
工艺技术:CMOS
工作电压:3.3V ± 0.3V
访问时间:10ns(最大)
工作温度范围:0°C 至 +70°C
封装类型:44-pin TSOP
接口类型:并行
电源电流(最大):约40mA(运行模式)
待机电流:≤ 10μA
输入/输出逻辑电平:TTL兼容
封装尺寸:标准44引脚TSOP-II
存储器类型:异步SRAM
写入周期时间:10ns
读取周期时间:10ns
MB84257A-10LL采用了高性能CMOS技术,确保了在高速运行条件下的低功耗和高稳定性。其核心特性之一是10ns的极短访问时间,使得该SRAM能够在高频系统时钟下完成数据的快速读取,满足高速缓存或实时数据缓冲的需求。该芯片的异步操作模式无需依赖系统时钟同步信号,通过简单的地址、数据和控制线(如CE#、OE#、WE#)即可实现灵活的读写控制,适用于多种非同步总线架构的微控制器系统。
该器件具备低功耗设计,在待机模式下电流消耗可低至10μA,显著延长了便携式或电池供电设备的续航时间。此外,其3.3V单电源供电设计符合现代低电压系统趋势,减少了电源管理复杂度,并提升了与其他3.3V逻辑器件的兼容性。所有输入端口均具备施密特触发器特性,增强了抗噪声能力,提高了信号完整性,尤其在高电磁干扰环境中表现出色。
MB84257A-10LL集成了片上地址锁存器,允许在地址建立后立即进行数据访问,无需外部锁存电路,从而简化了系统设计并节省了PCB空间。其双向三态数据总线支持多设备共享同一数据总线,便于构建多存储体或模块化系统架构。器件还具备写保护功能,通过控制写使能信号(WE#)可防止误写操作,保障关键数据的安全性。
该SRAM的44引脚TSOP封装具有优良的热性能和机械稳定性,适合自动化贴片生产,且在高温高湿环境下仍能保持长期可靠性。富士通在制造过程中执行严格的品质控制流程,确保每颗芯片都达到工业级标准,适用于长时间连续运行的应用环境。
MB84257A-10LL广泛应用于各类需要高速、低延迟数据存储的电子系统中。在通信设备领域,常用于路由器、交换机和基站中的数据缓冲区,以支持高速数据包的临时存储与转发。在工业自动化控制系统中,该芯片可用于PLC(可编程逻辑控制器)、人机界面(HMI)和运动控制器中,作为程序运行时的临时变量存储区域,提升系统响应速度。
在测试与测量仪器中,如示波器、频谱分析仪等,MB84257A-10LL用于采集高速信号样本的缓存,确保不丢失瞬态数据。在嵌入式系统设计中,尤其是基于ARM、PowerPC或DSP的平台,该SRAM可作为外部扩展内存,弥补主控芯片内部RAM容量不足的问题,支持复杂算法或多任务处理。
此外,该器件也适用于医疗电子设备、汽车电子控制单元(ECU)以及军事和航空航天领域的加固型计算系统。由于其宽温范围版本可能存在(需确认具体型号变种),也可用于恶劣环境下的可靠运行。消费类高端设备如数字视频录像机(DVR)、多媒体播放器等也可能采用此类SRAM来提升图像和音频处理性能。
IS61LV2568-10TL
CY7C1021DV33-10ZSXI
AS6C2256-55BIN
IDT71V256SA10P
MCM62096G