时间：2025/8/8 23:00:57
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MB834200AP是一款由富士通（Fujitsu）生产的静态随机存取存储器（SRAM）芯片。该芯片属于高速、低功耗SRAM器件，通常用于需要快速数据存取和稳定性能的应用场合。SRAM芯片不需要刷新电路来保持数据完整性，因此在需要高频访问和高可靠性的系统中非常受欢迎。MB834200AP具有标准的封装形式和通用的接口设计，适用于各种工业控制、通信设备、测试仪器和嵌入式系统。
容量：256Kbit（32K x 8）
电压范围：3.3V 至 5.5V
访问时间：55ns、70ns 可选
封装类型：44引脚 TSOP
工作温度范围：工业级（-40°C 至 +85°C）
封装尺寸：约18.4mm x 12.4mm
输入/输出接口：三态并行数据总线
功耗：典型工作电流约100mA
时序控制：异步SRAM，支持片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）信号
MB834200AP是一款高性能的CMOS SRAM芯片，具有高速访问时间和宽泛的电源电压范围，能够在3.3V至5.5V之间稳定工作，适用于多种系统设计。其访问时间为55ns或70ns，满足了对数据读写速度有较高要求的应用场景。该芯片采用异步控制方式，通过片选（CE）、输出使能（OE）和写使能（WE）三个控制信号实现灵活的存储器操作。此外，MB834200AP采用了低功耗设计，在保持高速性能的同时有效控制能耗，适用于便携式设备或对功耗敏感的系统。
该芯片的封装形式为44引脚TSOP，具有良好的散热性能和机械稳定性，适合工业环境中的长期运行。MB834200AP广泛应用于需要快速数据缓存、临时数据存储或系统缓冲区设计的场合。由于其非易失性特性仅依赖于持续供电，因此在系统掉电时需通过备用电源或电容维持数据完整性。
MB834200AP SRAM芯片适用于多种需要高速存储器的应用场景，包括工业控制系统、嵌入式系统、网络设备、打印机、扫描仪、测试测量仪器、通信模块等。它常用于作为微控制器或数字信号处理器（DSP）的外部数据存储器，提供比DRAM更快速的访问能力。在图像处理、高速缓存、数据缓冲等应用中，该芯片的高性能和低延迟特性使其成为理想选择。此外，MB834200AP也适用于需要临时数据存储但不要求持久保存的系统，例如实时数据采集设备或网络交换机中的转发缓冲区。
MB834200A、MB834200-70、CY62148EVLL、IS61LV256AL
