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MB831000-15 发布时间 时间:2025/9/23 13:44:11 查看 阅读:10

MB831000-15是一款由富士通(Fujitsu)公司生产的高速静态随机存取存储器(SRAM)芯片。该器件属于低功耗、高性能的CMOS SRAM系列,广泛应用于需要快速数据存取和高可靠性的电子系统中。MB831000-15的容量为1兆位(128K × 8位),采用标准的并行接口设计,适用于工业控制、通信设备、网络设备以及嵌入式系统等多种场景。该芯片工作电压为5V,兼容TTL电平,确保了与多种微处理器和控制器的良好接口匹配性。其封装形式通常为44引脚的TSOP(Thin Small Outline Package)或SOP(Small Outline Package),便于在高密度PCB布局中使用。MB831000-15以其高稳定性和长期供货能力,在工业和通信领域获得了广泛应用。尽管富士通已逐步将部分SRAM产品线转移至Spansion或其他后续公司,但该型号仍在许多现有系统中服役,并可通过授权代理商获取。

参数

型号:MB831000-15
  制造商:Fujitsu
  存储容量:1 Mbit (128K × 8)
  电源电压:5V ± 10%
  访问时间:15 ns
  工作温度范围:0°C 至 +70°C
  封装类型:44-pin TSOP, 44-pin SOP
  接口类型:并行
  组织结构:128K × 8
  读取电流(最大):40 mA
  待机电流(最大):10 μA
  输入/输出电平:TTL 兼容
  刷新机制:无需刷新(SRAM特性)

特性

MB831000-15具备出色的高速存取性能,其15纳秒的访问时间使其能够满足高性能微处理器系统的实时数据处理需求。该芯片采用先进的CMOS工艺制造,不仅保证了高速运行下的稳定性,还显著降低了功耗,尤其是在待机模式下,电流消耗可低至10微安,极大地提升了系统的能效表现。其全静态设计意味着无需时钟信号或刷新周期即可维持数据,简化了系统设计并提高了可靠性。
  该器件具有优异的抗干扰能力和宽裕的噪声容限,能够在复杂的电磁环境中稳定工作。所有输入端都带有静电放电(ESD)保护电路,典型防护能力可达±2000V HBM(人体模型),增强了器件在生产、装配和现场运行中的耐用性。输出端支持三态控制,允许多个存储器或外设共享同一数据总线,从而实现高效的系统资源管理。
  MB831000-15的工作电压范围为4.5V至5.5V,符合标准5V逻辑系统的设计规范,并且输入输出电平完全兼容TTL,可直接与各类微控制器、DSP和ASIC无缝连接。其128K×8的组织结构使得地址和数据分配清晰,便于系统开发者进行内存映射和软件调试。
  此外,该芯片通过了严格的工业级可靠性测试,包括高温老化、温度循环和高压蒸煮等,确保在长期运行中的数据完整性和器件寿命。其封装形式采用标准44引脚TSOP或SOP,符合JEDEC标准,支持自动化贴片生产,适用于大规模制造环境。尽管该型号已进入产品生命周期的后期阶段,但在许多工业和通信设备中仍被视为可靠的选择。

应用

MB831000-15广泛应用于对数据存取速度和系统稳定性要求较高的工业与通信领域。在工业自动化控制系统中,该芯片常被用于PLC(可编程逻辑控制器)、HMI(人机界面)和运动控制器中,作为高速缓存或临时数据存储单元,以支持实时任务调度和I/O数据缓冲。
  在网络通信设备中,如路由器、交换机和基站控制器,MB831000-15用于存储配置信息、路由表或临时转发数据包,其快速访问能力有助于提升数据吞吐效率。在嵌入式系统和数字信号处理平台中,该SRAM可作为DSP或MCU的外部扩展内存,支持复杂算法的中间变量存储和高速数据采集缓冲。
  此外,该芯片也常见于测试测量仪器、医疗设备和航空航天电子系统中,用于存储校准数据、运行日志或实时采样结果。由于其工业级温度范围和高可靠性设计,特别适合部署在恶劣环境下的长期运行设备中。
  在一些老旧但仍在服役的电信基础设施和军事电子系统中,MB831000-15仍作为关键元器件使用,因此在备件替换和系统维护市场中保持一定的需求。其稳定的供货渠道和成熟的替代方案也使其成为系统升级和兼容性设计的重要参考器件。

替代型号

CY7C1021DV33-15ZSXI

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