类型：CMOS SRAM
　　容量：64 Kbit (8K × 8)
　　组织结构：8192 × 8
　　工作电压：4.5V 至 5.5V
　　访问时间：典型值55ns、70ns、100ns（依版本而定）
　　工作电流：典型值40mA（最大约100mA）
　　待机电流：典型值100μA（最大1mA）
　　输入电平：TTL兼容
　　封装形式：28-pin DIP, 28-pin SOIC
　　工作温度范围：0°C 至 +70°C（商业级）或 -40°C 至 +85°C（工业级）
　　读写操作：支持异步读写，三态输出

MB8264的首要特性是其基于高性能CMOS工艺实现的低功耗运行能力，这使其在长时间运行的应用中表现出色。传统SRAM通常存在较高的静态功耗问题，但MB8264通过优化的CMOS设计显著降低了待机状态下的电流消耗，典型待机电流仅为100μA，极大地延长了电池供电系统的使用寿命。此外，其高速访问时间（最短可达55ns）确保了在实时性要求高的系统中能够快速响应处理器的数据请求，从而提升整体系统性能。这种速度与功耗之间的良好平衡，使得MB8264成为早期嵌入式系统和工业控制器中的理想选择。
　　另一个关键特性是其全静态异步设计，这意味着只要电源持续供应，数据即可无限期保存，且无需像DRAM那样进行周期性刷新操作。这一特点不仅简化了外围电路设计，减少了控制器的负担，还提高了系统的可靠性。在复杂的工业环境中，频繁的刷新操作可能引入时序冲突或数据丢失风险，而MB8264避免了此类问题。此外，其三态输出结构支持多芯片共享数据总线，允许在多存储体或混合外设系统中灵活配置，增强了系统的可扩展性。
　　MB8264具备良好的电气兼容性，其输入引脚与TTL电平完全兼容，可以直接与大多数5V微处理器（如8051、68000等）无缝对接，无需额外的电平转换电路。这降低了系统设计的复杂度和成本。同时，芯片提供清晰的控制信号线，包括片选（CE）、写使能（WE）和输出使能（OE），支持精确的读写时序控制。这些信号可直接由地址译码器或CPU的控制总线驱动，便于构建模块化系统架构。
　　在可靠性方面，MB8264经过严格的质量测试，具备较强的抗噪声和抗干扰能力，能够在电磁环境复杂的工业现场稳定运行。其宽工作温度范围选项（工业级可达-40°C至+85°C）进一步拓展了其应用边界，适用于户外设备、车载系统或工厂自动化装置。此外，富士通在生产过程中采用了高良率工艺，确保了器件的一致性和长期供货稳定性，这对需要长期维护的工业产品尤为重要。

MB8264主要用于需要高速、可靠、非易失性辅助存储的嵌入式系统和工业电子设备中。一个典型应用场景是作为微控制器或微处理器的外部数据缓存，用于临时存储运行时变量、堆栈数据或中间计算结果。在通信设备中，如调制解调器、网络交换机或路由器的早期设计中，MB8264常被用作帧缓冲区或协议处理缓存，以支持高速数据包的接收与转发。其快速读写能力确保了数据吞吐的流畅性，避免了因存储瓶颈导致的延迟。
　　在工业自动化领域，MB8264广泛应用于PLC（可编程逻辑控制器）、人机界面（HMI）和数据采集系统中。例如，在PLC中，它可用于存储用户程序的中间状态、I/O映像表或故障日志信息。由于工业现场对系统响应速度和可靠性要求极高，MB8264的静态特性和抗干扰能力使其成为理想选择。此外，在测试与测量仪器中，如示波器、频谱分析仪等，MB8264可用于暂存采样数据，供后续处理或显示，其高速访问能力有助于实现实时波形捕捉。
　　在军事和航空航天领域，尽管新型器件已逐步替代，但在一些老旧系统升级或备件替换场景中，MB8264仍被用于雷达信号处理单元、飞行控制计算机的辅助存储模块。其经过验证的可靠性和长期供货记录，使其在关键任务系统中仍具价值。此外，该芯片也常见于教育实验平台和开发板中，用于教学SRAM工作原理和总线接口设计，帮助学生理解存储器时序、地址译码和读写控制机制。
　　随着技术进步，MB8264已逐渐被更高密度、更低功耗的SRAM或PSRAM取代，但在设备维护、逆向工程和工业设备翻新项目中，其应用依然活跃。特别是在无法更换主控架构的老化设备中，MB8264作为可直接替换的标准化存储器件，发挥着不可替代的作用。

MSM8264
　　HM6264LP
　　CY62148